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1、考試試卷考試試卷(1)卷一、填空題(本題共一、填空題(本題共8小題,每空小題,每空1分,共分,共20分)分)1、按照驅(qū)動電路加在電力電子器件控制端和公共端之間的性質(zhì),可將電力電子器件分為____電壓型____和_____電流型___兩類。2、電子技術(shù)包括__信息電子技術(shù)___和電力電子技術(shù)兩大分支,通常所說的模擬電子技術(shù)和數(shù)字電子技術(shù)就屬于前者。2、為減少自身損耗,提高效率,電力電子器件一般都工作在____開關(guān)_____狀態(tài)。當(dāng)器件的工
2、作頻率較高時,__開關(guān)_______損耗會成為主要的損耗。3、在PWM控制電路中,載波頻率與調(diào)制信號頻率之比稱為______載波比_______,當(dāng)它為常數(shù)時的調(diào)制方式稱為_____同步____調(diào)制。在逆變電路的輸出頻率范圍劃分成若干頻段,每個頻段內(nèi)載波頻率與調(diào)制信號頻率之比為桓定的調(diào)制方式稱為_____分段同步_______調(diào)制。4、面積等效原理指的是,_____沖量____相等而__形狀_____不同的窄脈沖加在具有慣性的環(huán)節(jié)上時,
3、其效果基本相同。5、在GTR、GTO、IGBT與MOSFET中,開關(guān)速度最快的是___MOSFET______,單管輸出功率最大的是____GTO_________,應(yīng)用最為廣泛的是___IGBT________。6、設(shè)三相電源的相電壓為U2,三相半波可控整流電路接電阻負(fù)載時,晶閘管可能承受的最大反向電壓為電源線電壓的峰值,即,其承受的最大正向電壓為。7、逆變電路的負(fù)載如果接到電源,則稱為逆變,如果接到負(fù)載,則稱為逆變。8、如下圖,指出
4、單相半橋電壓型逆變電路工作過程中各時間段電流流經(jīng)的通路(用V1VD1V2VD2表示)。(1)0~t1時間段內(nèi),電流的通路為________;(2)t1~t2時間段內(nèi),電流的通路為_______;(3)t2~t3時間段內(nèi),電流的通路為_______;(4)t3~t4時間段內(nèi),電流的通路為_______;(5)t4~t5時間段內(nèi),電流的通路為_______;二、選擇題(本題共二、選擇題(本題共10小題,前小題,前4題每題題每題2分,其余每題
5、分,其余每題1分,共分,共14分)分)1、單相橋式PWM逆變電路如下圖,單極性調(diào)制工作時,在電壓的正半周是()A、V1與V4導(dǎo)通,V2與V3關(guān)斷B、V1常通,V2常斷,V3與V4交替通斷C、V1與V4關(guān)斷,V2與V3導(dǎo)通D、V1常斷,V2常通,V3與V4交替通斷2、對于單相交流調(diào)壓電路,下面說法錯誤的是()A、晶閘管的觸發(fā)角大于電路的功率因素角時,晶閘管的導(dǎo)通角小于180度B、晶閘管的觸發(fā)角小于電路的功率因素角時,必須加寬脈沖或脈沖列觸
6、發(fā),電路才能正常工作C、晶閘管的觸發(fā)角小于電路的功率因素角正常工作并達(dá)到穩(wěn)態(tài)時,晶閘管的導(dǎo)通角為180度D、晶閘管的觸發(fā)角等于電路的功率因素角時,晶閘管的導(dǎo)通角不為180度3、在三相三線交流調(diào)壓電路中,輸出電壓的波形如下圖所示,在t1~t2時間段內(nèi),有()晶閘管導(dǎo)通。A、1個B、2個C、3個D、4個4、對于單相交交變頻電路如下圖,在t1~t2時間段內(nèi),P組晶閘管變流裝置與N組晶閘管變流裝置的工作狀態(tài)是()A、P組阻斷,N組整流B、P組阻
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