電容觸摸屏的原理及工藝制ppt課件

1、電容觸摸屏的原理及工藝制程,2,電容屏工作簡單數(shù)學(xué)模型,當(dāng)手指或?qū)w觸摸到TP時，電容值Cp就會產(chǎn)生變化,3,工作原理概括,1.觸摸TP，寄生電容產(chǎn)生變化2. 發(fā)射極發(fā)射信號，經(jīng)過容抗，阻抗后，信號產(chǎn)生滯后或超前，接收極接受信號后計算出具體數(shù)值，掃描整屏，產(chǎn)生數(shù)據(jù)矩陣3. 和基準數(shù)據(jù)矩陣對比，產(chǎn)生DIFF值矩陣，使用重心算法映射到LCD分辨率，得出具體坐標(biāo)值，賦予ID號4. 產(chǎn)生中斷，主控使用IIC讀走數(shù)據(jù),4,電容觸摸屏分類,C

2、TP（Capacity Touch Panel）表面電容式投射電容式自電容：檢測通道與地之間的寄生電容變化，有手指存在時寄生電容會增加，IC 通道pin 既是發(fā)射極 又是接收極互電容：檢測發(fā)射通道和接受通道交叉處的互電容（也就是耦合電容）的變化，有手指存在時互電容會減小，IC 通道pin 發(fā)射極和接受極是分開的,5,自電容觸摸屏結(jié)構(gòu),串行驅(qū)動/感應(yīng)特點M+N個電容M+N條連線 模擬多點（2點）,6,互電容觸摸屏結(jié)構(gòu)

3、,,串行驅(qū)動 并行感應(yīng)特點 M*N個電容 M+N條連線真實多點,7,互電容 VS 自電容,8,電容式觸摸屏常見工藝結(jié)構(gòu),G/FG/F/FG/F2GIFG/G（G/G S , G/G D）OGS（TOL）On CellIn Cell,9,G/F結(jié)構(gòu)解析,蓋板/Lens/Cover Glass/Cover Lens作用：保護/功能/裝飾要求：強度/硬度/透光率OCA（固態(tài)光學(xué)膠，LOCA液態(tài)光學(xué)膠）

4、要求：透光率/粘性Film Sensor特點：單層/單點+手勢/或者單層多點，支持最大尺寸5寸,10,G/G結(jié)構(gòu)解析,結(jié)構(gòu)同于G/F，區(qū)別在于Film Sensor變?yōu)镚lass Sensor特殊的兩種情況：G/G D雙面玻璃工藝（eg.:Apple）G/G S單面搭橋工藝（Metal Jump）,11,電容式觸摸屏堆疊結(jié)構(gòu)比較,12,圖形方案,菱形+Cypress,條形+ Synaptics,網(wǎng)形+Atmel

5、,13,自電容三角形,三角形+ Atmel,14,圖形方案實物,菱形,長條形,三角形,15,G/G S工藝通常使用搭橋工藝,只需要一片ITO玻璃一面搭橋做ITO層另一面做屏蔽層主要用于小尺寸的屏藝少，成本、良率好控制,16,電容式觸摸屏新工藝,OGS/TOL（One Glass Solution/Touch On Lens）單層多點On Cell（觸摸面板功能嵌入到彩色濾光片基板和偏光

6、板之間）In Cell（觸摸面板功能嵌入到液晶像素中）,17,控制芯片廠家,CypressSynaptics 新思 4層結(jié)構(gòu) Atmel 2層結(jié)構(gòu)敦泰、匯頂、威盛、聯(lián)發(fā)科瀚瑞、義隆電,18,控制芯片廠家LOGO,19,電容式觸摸屏幾種工藝制程的特點,酸堿脫膜：效率高、成本低、精度低蝕刻膏蝕刻：與酸堿脫膜一樣，效率高、成本低、精度低。工藝更簡單，工藝圖案與酸堿脫膜相反，難點是涂布不勻容易造成蝕刻不凈，更難清洗等激光蝕刻：精度

7、較高，30 μm ，效率低，成本低，工藝簡單，良率高，環(huán)保黃光工藝：精度最高，對位精度± 5 μm ，蝕刻精度± 5 μm ，能蝕刻5 μm，一般量產(chǎn)用20μm,20,使用激光工藝時常見的工藝流程（GFF/酸堿+Laser）,來料（卷材，較好的ITO基材有背保）開料（按需要的尺寸裁切成片材）老化（烘烤，將收縮率降到最低）撕膜（撕掉ITO面的保護膜）絲印耐酸（保護要留下的Sensor電路，沒有背保的基材要印背

8、保）酸刻Sensor電路堿洗耐酸水洗（洗掉化學(xué)殘留）絲印銀膠塊（通常為了保護可視區(qū)不被劃傷，印銀膠前會印刷正保）烘烤（白格測試附著著力）激光干刻引線電路（通斷檢測）貼OCA光學(xué)膠（有的用液態(tài)膠）激光裁切讓位孔（部分會在激光裁切是分層切出讓位部分）Sensor上下線貼合激光裁切（Sheet→Piece）邦定FPC（Bonding后需要檢測無Lens是的功能）蓋板貼合（CTP成型，觸摸屏功能測試，出廠）,21,使用激

9、光工藝時常見的工藝流程（GFF/Laser ）,來料（卷材，較好的ITO基材有背保）開料（按需要的尺寸裁切成片材）老化（烘烤，將收縮率降到最低）撕膜（撕掉ITO面的保護膜）絲印耐酸（保護要留下的Sensor電路，沒有背保的基材要印背保）酸刻Sensor電路堿洗耐酸水洗（洗掉化學(xué)殘留）絲印銀膠塊（通常為了保護可視區(qū)不被劃傷，印銀膠前會印刷正保）烘烤（白格測試附著著力）激光干刻引線電路（通斷檢測）

10、 ITO+Ag蝕刻貼OCA光學(xué)膠（有的用液態(tài)膠）激光裁切讓位孔（部分會在激光裁切是分層切出讓位部分）Sensor上下線貼合激光裁切（Sheet→Piece）邦定FPC（Bonding后需要檢測無Lens是的功能）蓋板貼合（CTP成型，觸摸屏功能測試，出廠）,,22,使用激光工藝時常見的工藝流程（GF/酸堿+Laser）,來料（卷材，較好的ITO基材有背保）開料（按需要的尺寸裁切成片材）老化（烘烤，將收縮率降到最低）撕膜

11、（撕掉ITO面的保護膜）絲印耐酸（保護要留下的Sensor電路，沒有背保的基材要印背保）酸刻Sensor電路堿洗耐酸水洗（洗掉化學(xué)殘留）絲印銀膠塊（通常為了保護可視區(qū)不被劃傷，印銀膠前會印刷正保）烘烤（白格測試附著著力）激光干刻引線電路（通斷檢測）貼OCA光學(xué)膠（有的用液態(tài)膠）激光裁切讓位孔（部分會在激光裁切是分層切出讓位部分）Sensor上下線貼合激光裁切（Sheet→Piece）邦定FPC（Bonding后需

12、要檢測無Lens是的功能）蓋板貼合（CTP成型，觸摸屏功能測試，出廠）,23,使用激光工藝時常見的工藝流程（GF/Laser）,來料（卷材，較好的ITO基材有背保）開料（按需要的尺寸裁切成片材）老化（烘烤，將收縮率降到最低）撕膜（撕掉ITO面的保護膜）絲印耐酸（保護要留下的Sensor電路，沒有背保的基材要印背保）酸刻Sensor電路堿洗耐酸水洗（洗掉化學(xué)殘留）絲印銀膠塊（通常為了保護可視區(qū)不被劃傷，印銀膠前會印刷正保

13、）烘烤（白格測試附著著力）激光干刻引線電路（通斷檢測） ITO+Ag蝕刻貼OCA光學(xué)膠（有的用液態(tài)膠）激光裁切讓位孔（部分會在激光裁切是分層切出讓位部分）Sensor上下線貼合激光裁切（Sheet→Piece）邦定FPC（Bonding后需要檢測無Lens是的功能）蓋板貼合（CTP成型，觸摸屏功能測試，出廠）,,24,使用激光工藝時常見的工藝流程（GF/單層多點）,來料（卷材，較好的ITO基材有背

14、保）開料（按需要的尺寸裁切成片材）老化（烘烤，將收縮率降到最低）撕膜（撕掉ITO面的保護膜）絲印耐酸（保護要留下的Sensor電路，沒有背保的基材要印背保）酸刻Sensor電路堿洗耐酸水洗（洗掉化學(xué)殘留）絲印銀膠塊（通常為了保護可視區(qū)不被劃傷，印銀膠前會印刷正保）烘烤（白格測試附著著力）激光干刻引線電路（通斷檢測） ITO Sensor蝕刻貼OCA光學(xué)膠（有的用液態(tài)膠）激光裁切讓位孔（部分會