基于有源電壓控制的IGBT串聯(lián)技術研究.pdf

1、絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）具有電流容量大，開關頻率高，驅動方式簡單等優(yōu)點，已經(jīng)廣泛應用于高壓大功率場合。在直流輸電領域中，電壓能高達數(shù)十千伏，然而目前單管IGBT的耐壓水平遠遠達不到高壓的應用要求。IGBT串聯(lián)技術就是解決該問題最簡單、直接的方案，具有十分重要的理論意義和實際應用價值。
　　首先，本文對IGBT的基本結構進行介紹，詳細闡述其工作原理和開關特性，重點分析了IGBT的動態(tài)特性和擎住效應。然后，對IGBT進行數(shù)學建模

2、，分析其內(nèi)部電流電壓之間的相互關系。
　　其次，在獲得IGBT模型的基礎上，研究了各種內(nèi)外部因素對串聯(lián)IGBT均壓效果的影響，包括了IGBT極間電容、拖尾電流、外圍驅動電路和緩沖電路等等。之后，提出了有源電壓控制驅動等方法解決均壓不一致，并進行原理分析和參數(shù)設計。
　　再次，對有源電壓控制的閉環(huán)驅動進行理論分析，第一步介紹IGBT在動態(tài)過程中的等效模型，結合整個驅動電路，建立傳遞函數(shù)；第二步介紹了IGBT開關狀態(tài)中動態(tài)參數(shù)的