基于有源電壓控制的IGBT串聯(lián)技術(shù)研究.pdf

1、絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）具有電流容量大，開關(guān)頻率高，驅(qū)動(dòng)方式簡(jiǎn)單等優(yōu)點(diǎn)，已經(jīng)廣泛應(yīng)用于高壓大功率場(chǎng)合。在直流輸電領(lǐng)域中，電壓能高達(dá)數(shù)十千伏，然而目前單管IGBT的耐壓水平遠(yuǎn)遠(yuǎn)達(dá)不到高壓的應(yīng)用要求。IGBT串聯(lián)技術(shù)就是解決該問題最簡(jiǎn)單、直接的方案，具有十分重要的理論意義和實(shí)際應(yīng)用價(jià)值。
　　首先，本文對(duì)IGBT的基本結(jié)構(gòu)進(jìn)行介紹，詳細(xì)闡述其工作原理和開關(guān)特性，重點(diǎn)分析了IGBT的動(dòng)態(tài)特性和擎住效應(yīng)。然后，對(duì)IGBT進(jìn)行數(shù)學(xué)建模

2、，分析其內(nèi)部電流電壓之間的相互關(guān)系。
　　其次，在獲得IGBT模型的基礎(chǔ)上，研究了各種內(nèi)外部因素對(duì)串聯(lián)IGBT均壓效果的影響，包括了IGBT極間電容、拖尾電流、外圍驅(qū)動(dòng)電路和緩沖電路等等。之后，提出了有源電壓控制驅(qū)動(dòng)等方法解決均壓不一致，并進(jìn)行原理分析和參數(shù)設(shè)計(jì)。
　　再次，對(duì)有源電壓控制的閉環(huán)驅(qū)動(dòng)進(jìn)行理論分析，第一步介紹IGBT在動(dòng)態(tài)過程中的等效模型，結(jié)合整個(gè)驅(qū)動(dòng)電路，建立傳遞函數(shù)；第二步介紹了IGBT開關(guān)狀態(tài)中動(dòng)態(tài)參數(shù)的