bi0.5na0.5tio3基無鉛壓電陶瓷的研制

1、論文獨創(chuàng)性聲明本論文足我個人在導師指導下進i J ：的研究工作及取得的研究成果。論文1 1 。1 除了特別加以標注和致謝的地方外，不包含其他人或機構已經(jīng)發(fā)表或撰寫過的研究成果。其他同志對本研究的啟發(fā)和所做的貢獻均已在論文中做了明確的聲明并表示了謝意。作者簽名力，6 ¨。弋日期：論文使用授權聲明≯l f ·5 q＼本人完全了解上海師范大學有關保留、使用學位論文的規(guī)定，即：學校有權保留送交論文的復印件，允許論文被奩閱和借

2、閱；學?？梢怨颊撐牡娜炕虿糠謨?nèi)容，可以采用影印、縮印或其它手段保存論文。保密的論文在解密后遵守此規(guī)定。?婚甲虢期：．．z o r 1 ．s7 1上海師范大學碩士學位論文 j ‘嬲論文題目： B i o ．5 N a o ．5 T i 0 3 基無鉛壓電陶瓷的研制學科專業(yè)： 理論物理學位申請人：李加明導 師： 秦曉梅副教授摘 要以( 1 - x ) B i o ．5 N a o ．5 T i 0 3 - x B a T i 0 3 (

3、 B N B T ，B N B T x ) 為代表的環(huán)境友好壓電陶瓷材料因其在準同型相界( M o r p h o t r o p i c P h a s eB o u n d a r y ，M P B ) 附近優(yōu)異的壓電性能，引起了廣泛的研究興趣。針對B N B T 陶瓷本身存在的一些缺點，借鑒傳統(tǒng)鉛基壓電陶瓷研究的思路，對其進行了系統(tǒng)的改性研究，以進一步提高其壓電性能，為實際應用奠定基礎，主要研究內(nèi)容及結果如下：1 ．在M P B

4、附近B N B T ( 選取組分X 為0 ．0 6 5 ) 基礎上，研究了M n 離子摻雜前后B N B T 陶瓷的結構與電學性能，摻雜后介電損耗大大降低，壓電系數(shù)提升至1 5 0 p C ／N ，耦合系數(shù)知達到0 ．3 3 。2 ．在摻M n 后的B N B T 基礎上，通過引入L i 離子，制備三元系的固溶體( 0 ．9 3 5 - x ) B i o ．5 1 ' , 1 a o ．5 T i 0 3 ～00 6 5 B

5、a T i 0 3 - x L i o ．5 B i o ．5 T 1 0 3 - 0 ．5 ％M n ( B N L B M T ) ，顯著地改善了陶瓷的燒結性能，有效的降低了燒結溫度，在x = 0 ．0 6 時獲得最優(yōu)壓電性能，壓電系數(shù)南3 達到1 7 2p C ／N ，緯達3 3 ％，極化后介電常數(shù)《／氏為8 3 7 ，損耗t a n , 多為0 ．0 2 6 。3 ．研究了F e ，L a ，C e ，N b 等不同價態(tài)及離子半

6、徑的A 位、B 位摻雜對B N L B M T 0 ．0 6 陶瓷的結構、鐵電、介電、壓電性能及相變行為的影響規(guī)律，摻o ．2m 0 1 ％L a 時具有最優(yōu)的綜合性能，西3 達到1 8 4 p C ／N ，知為o ．3 2 ，《／島和t a 】曬分別為9 8 3 和0 ．0 3 3 。4 ．研究發(fā)現(xiàn)在B N B T 的基礎上，引入具有正交相結構的K N b 0 3 ，可以獲得具有高電致伸縮系數(shù)的新型無鉛體系，當K N b 0 3 在0