ieee802.11物理層傳輸技術(shù)及應(yīng)用開(kāi)發(fā)

1、T h e o r e t i c a l S t u d y o f t h e S t a b i l i t yo f D e f e c t so f T w 0 一D i m e n s i o n a l N a n o m a t e r i a l sA D i s s e r t a t i o nS u b m i t t e d t oS o u t h e a s t U n i v e r s i t yF o

2、 r t h e A c a d e m i c D e g r e e o f M a s t e r o f s c i e n c eB YS u n Q i n gS u p e r v i s e d b yP r o f ．W a n g j i n l a nD e p a r t m e n t o f P h y s i c sS o u t h e a s t U n i v e r s i t yD e c e m

3、 b e r 2 0 1 1摘要摘 要與體材料相比，二維納米材料具有較大的表面積且存在著量子效應(yīng)，使其具有許多獨(dú)特的電學(xué)、光學(xué)、化學(xué)以及熱學(xué)特性。這些特性使得二維納米材料在納米電子、光電子器件等集成線(xiàn)路和功能性元件的構(gòu)筑中起著非常重要的作用。所以，二維納米材料已成為當(dāng)前納米科學(xué)領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)之一。實(shí)驗(yàn)中制備得到的納米材料并不總是十分完美，不可避免的會(huì)存在各種各樣的缺陷，它們的存在對(duì)材料的性能有著很大的影響，因此對(duì)納米材料中缺陷的研究就尤

4、為必要。本文基于第一性原理和分子動(dòng)力學(xué)方法，系統(tǒng)的研究了石墨烯和單層氮化硼中原子空位缺陷及其邊界的穩(wěn)定性。主要內(nèi)容如下：( 1 ) 采用密度泛函緊束縛勢(shì)方法對(duì)N i 6 團(tuán)簇剪裁有缺陷的石墨烯進(jìn)行了分子動(dòng)力學(xué)模擬。結(jié)果表明：( i ) N i 6 團(tuán)簇的存在使得缺陷變得不穩(wěn)定，缺陷周?chē)痈菀妆磺治g出來(lái)，其中，N i 6 團(tuán)簇起“橋梁”作用；( i i ) 與扶手椅型邊界相比，鋸齒型邊界缺陷的周?chē)硬蝗菀资?，鋸齒型邊界更穩(wěn)定：(

5、i i i ) 不管是哪種邊界的缺陷，N i 6 團(tuán)簇最終都沿著鋸齒方向切割石墨烯。( 2 ) 采用密度泛函理論對(duì)單層氮化硼中不同尺度的多原子空位缺陷( V 1 ．V 1 2 ) 的穩(wěn)定性進(jìn)行了研究。結(jié)果表明：( i ) 由不同結(jié)構(gòu)下的形成能得到，除了V 5 、V 6 和V 1 2 ，對(duì)稱(chēng)性結(jié)構(gòu)的缺陷最穩(wěn)定；( i i ) 由V 1 ～V 】2 的離解能發(fā)現(xiàn)，離解能的數(shù)值隨缺陷尺度的變化呈現(xiàn)出峰值和谷底的分布，n 為偶數(shù)時(shí)離解能為峰值，