陶瓷纖維基多孔陶瓷材料的制備與表征研究.pdf

1、作為第三代半導體的典型代表，SiC具有較好的機械性能、親水性能、熱學性能，同時，它還具有較好的光學性能和電學性能。SiC材料具有包括零維、一維、二維和三維等在內的多種構型，其中，SiC三維材料不但較好的保持了一維材料和二維材料的性能，還具有一些特殊的性能，比如較高的比表面積、更高的光吸收效率、更快的界面電荷轉移速度還有可調節(jié)的電荷傳輸能力。這就使SiC三維材料的應用范圍比其他材料更加廣泛。SiC三維材料越來越受地到人們的關注。
　

2、　因此，通過開發(fā)多種方法直接或者間接合成SiC三維材料以滿足各領域對其日益增加的需要激發(fā)了研究者們諸多的興趣。到目前為止，合成SiC三維材料的方法主要有滲透法、抽濾制坯法、真空成型與燒結結合法、凝膠澆鑄法、化學氣相沉積法、碳熱還原法等多種方法。在這些方法當中，碳熱還原法因制備納米材料所需要的原料廉價易得、產量較大而備受青睞。本文利用應用廣泛的碳熱還原法制備出了以三維網絡結構為主要構型的SiC纖維基多孔陶瓷材料，并對該材料以及材料改性后的

3、光致發(fā)光性能等進行了測定。
　　本文的研究重點主要集中在以下幾個方面。
　　1、利用常用的碳熱還原反應法，以蔗糖、正硅酸四乙酯分別作為反應的碳源和硅源，探究了合成碳化硅基納米纖維及骨架結構所需要的溫度范圍、催化劑的使用等因素對碳化硅纖維和骨架結構生成的影響，同時，對正硅酸四乙酯水解促進劑的酸堿性對材料結構的影響做了初步探究。
　　2、探究了在1300℃的保溫條件下以酚醛樹脂、正硅酸四乙酯作為碳熱還原反應的碳源和硅源時碳