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1、大行程納米級(jí)定位技術(shù)是納米測(cè)量和制造中的關(guān)鍵技術(shù),在半導(dǎo)體制造和器件檢測(cè)裝備以及工廠(chǎng)自動(dòng)化中有著廣泛的應(yīng)用。針對(duì)壓電陶瓷驅(qū)動(dòng)納米定位平臺(tái)和宏微結(jié)合納米定位平臺(tái)存在的問(wèn)題,本文采用電磁直接驅(qū)動(dòng)的方式實(shí)現(xiàn)大行程納米定位,對(duì)定位平臺(tái)的磁場(chǎng)分析和計(jì)算、設(shè)計(jì)和控制模型等問(wèn)題進(jìn)行了研究。
首先,考慮永磁體陣列在端部的磁場(chǎng)畸變和衰減,分別采用數(shù)值解法和半解析法對(duì)有限長(zhǎng)不規(guī)則形狀永磁體陣列的磁場(chǎng)進(jìn)行精確的求解。在數(shù)值解法方面,本文針對(duì)磁場(chǎng)計(jì)算
2、的開(kāi)域問(wèn)題,提出了開(kāi)域微分求積有限元法。通過(guò)縮放函數(shù)和廣義混合函數(shù),將形狀不規(guī)則的無(wú)限計(jì)算域變換成矩形有限計(jì)算域;最后,根據(jù)微分求積法則和邊界條件,精確求解了不規(guī)則形狀永磁體陣列的端部磁場(chǎng)。在半解析法方面,采用基于Fourier級(jí)數(shù)展開(kāi)的長(zhǎng)周期半解析法,考慮磁塊間連續(xù)或有間隙兩種情況,使用長(zhǎng)周期進(jìn)行Fourier級(jí)數(shù)的展開(kāi),獲得了考慮端部效應(yīng)的磁場(chǎng)通用表達(dá)形式。驗(yàn)證表明,本文兩種方法的計(jì)算結(jié)果有效。
其次,永磁體陣列合適的形狀
3、可以改善磁場(chǎng)分布,提高推力性能,是保障大行程納米級(jí)定位平臺(tái)性能的重要因素。本文提出三種新型形狀的永磁體陣列,即側(cè)向正弦曲線(xiàn)Halbach永磁體陣列、底部曲線(xiàn)Halbach永磁體陣列和曲線(xiàn)邊梯形Halbach永磁體陣列。采用上述新型數(shù)值解法和半解析法對(duì)這三種新型永磁體陣列進(jìn)行磁場(chǎng)的求解和優(yōu)化。結(jié)果表明,與矩形或梯形Halbach永磁體陣列相比,三種新型Halbach永磁體陣列顯著減小了磁場(chǎng)諧波含量和推力波動(dòng),具有一定的工程應(yīng)用價(jià)值。
4、> 然后,本文進(jìn)行了大行程納米級(jí)電磁直驅(qū)定位平臺(tái)的總體設(shè)計(jì)和參數(shù)的計(jì)算、仿真和驗(yàn)證,包括電渦流阻尼器的設(shè)計(jì),致動(dòng)器推力、永磁體陣列磁鏈和感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)以及直線(xiàn)三相繞組電感矩陣的計(jì)算和驗(yàn)證。計(jì)算結(jié)果表明,無(wú)鐵心直線(xiàn)三相繞組的互感并不完全相等,致動(dòng)器電路模型不對(duì)稱(chēng),即經(jīng)dq變換后,電感矩陣中仍然存在非對(duì)角元的耦合項(xiàng)。本文根據(jù)經(jīng)典的矢量控制理論,設(shè)計(jì)出與相位實(shí)時(shí)相關(guān)的解耦環(huán)節(jié),實(shí)時(shí)抵消去dq耦合項(xiàng)的影響,建立了dq軸實(shí)時(shí)完全解耦控制模型。實(shí)驗(yàn)表
5、明,與忽略互感差異的對(duì)稱(chēng)電路模型相比,采用不對(duì)稱(chēng)電路模型可以避免激發(fā)出電流的高階分量,適用于高精度的應(yīng)用場(chǎng)合。
最后,本文對(duì)大行程納米級(jí)電磁直驅(qū)定位平臺(tái)進(jìn)行了階躍響應(yīng)實(shí)驗(yàn)、定位分辨率實(shí)驗(yàn)、重復(fù)性實(shí)驗(yàn)、大行程定位實(shí)驗(yàn)和阻尼器抑噪實(shí)驗(yàn)。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,本文的定位平臺(tái)達(dá)到了預(yù)期的技術(shù)指標(biāo),在50mm的行程內(nèi)實(shí)現(xiàn)了20nm的定位分辨率,為后續(xù)大行程納米級(jí)平面電磁致動(dòng)器的研制提供了理論支持和技術(shù)儲(chǔ)備,在深亞微米級(jí)半導(dǎo)體制造和檢測(cè)裝備以及工
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