J-TEXT共振擾動(dòng)場(chǎng)對(duì)逃逸電子輸運(yùn)特性影響的數(shù)值模擬.pdf

1、托卡馬克運(yùn)行過程中的逃逸電子會(huì)對(duì)第一壁材料產(chǎn)生嚴(yán)重的沖擊和破壞，外加共振擾動(dòng)場(chǎng)是抑制逃逸電子的重要手段之一。本文主要通過數(shù)值模擬方法分析J-TEXT上共振擾動(dòng)場(chǎng)對(duì)磁場(chǎng)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的影響，進(jìn)而通過跟蹤試探電子運(yùn)動(dòng)軌跡分析共振擾動(dòng)場(chǎng)對(duì)逃逸電子輸運(yùn)的影響。本文的主要內(nèi)容：
　　本文采用EFIT代碼反演真實(shí)的實(shí)驗(yàn)炮號(hào)得到J-TEXT平衡場(chǎng)，追蹤磁力線的軌跡得到共振擾動(dòng)場(chǎng)對(duì)磁場(chǎng)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的影響。通過模擬計(jì)算，共振擾動(dòng)場(chǎng)線圈(DRMP和 SRMP)

2、會(huì)在等離子體中的有理面形成磁島，等離子體邊緣的磁島發(fā)生重疊會(huì)使磁力線被打斷重聯(lián)形成隨機(jī)層，這個(gè)隨機(jī)層只出現(xiàn)在等離子邊緣，所以磁場(chǎng)只是部分隨機(jī)。RMP電流越大，磁島越寬，邊緣隨機(jī)化越明顯。通過求解逃逸電子哈密頓導(dǎo)心系統(tǒng)下的運(yùn)動(dòng)方程得到其運(yùn)動(dòng)軌跡，模擬中的擾動(dòng)磁場(chǎng)包含了外加共振擾動(dòng)場(chǎng)以及等離子體本身的磁湍流。模擬結(jié)果表明逃逸電子的能量及運(yùn)動(dòng)方向都會(huì)影響逃逸電子的運(yùn)動(dòng)軌跡。當(dāng)電子的運(yùn)動(dòng)方向與環(huán)向相同時(shí)，逃逸電子向低場(chǎng)側(cè)漂移，而電子的運(yùn)動(dòng)方向與