各向異性P3HT及P3HT-PCBM薄膜的制備及性能研究.pdf

1、導(dǎo)電聚合物薄膜廣泛用于許多領(lǐng)域，如有機(jī)電子材料，傳感器材料，光電轉(zhuǎn)換材料等等。而導(dǎo)電聚合物薄膜的性能與其在表面和界面結(jié)構(gòu)密切相關(guān)，因此調(diào)控導(dǎo)電聚合物薄膜的表面及界面結(jié)構(gòu)是優(yōu)化其性能的一個(gè)重要方法。本課題選擇不同的基底結(jié)合溶劑種類和揮發(fā)速率等因素對(duì)聚3-己基噻吩(P3HT)薄膜及聚3-己基噻吩和[6,6]-苯基-C61-丁酸甲酯(P3HT/PCBM)共混薄膜的結(jié)構(gòu)進(jìn)行了調(diào)控并對(duì)其相關(guān)性能進(jìn)行了測(cè)試，具體分為以下兩個(gè)方面:
　　1.高

2、度取向的聚乙烯(PE)基底誘導(dǎo)P3HT薄膜的各向異性
　　采用溶液鑄膜的方法，以石英和取向的PE薄膜為基底，通過(guò)改變P3HT溶液中氯仿的揮發(fā)速率，制備了不同特點(diǎn)的P3HT薄膜。結(jié)合偏光顯微鏡(POM)，原子力顯微鏡(AFM)和半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試儀等手段對(duì)P3HT薄膜的結(jié)構(gòu)，形態(tài)和性能進(jìn)行了表征。結(jié)果表明:石英基底上P3HT的電導(dǎo)率無(wú)各向異性;PE基底上慢速揮發(fā)制得的P3HT薄膜(P3HT/PE-SE)，由于PE的附生結(jié)晶作用，形成了大

3、量c軸平行于PE薄膜的拉伸方向的side-on片晶，且P3HT的電導(dǎo)率具有各向異性，在平行于PE的拉伸的方向上電導(dǎo)率電導(dǎo)率最優(yōu)（10±0.5Scm-1）;而快速揮發(fā)制得的P3HT薄膜(P3HT/PE-FE)與石英基底上的P3HT的電導(dǎo)率(1.5±0.2Scm-1)所差無(wú)幾。
　　2.不同基底對(duì)P3HT/PCBM共混薄膜的結(jié)構(gòu)形態(tài)的影響
　　選用石英、PSS∶PEDOT和高度取向的PE三種基底，制備P3HT/PCBM共混薄膜。