高精密半導體引線框架及amoled蒸鍍用高精度金屬掩模板（一期）項目環(huán)評報告書

1、建設項目環(huán)境影響報告表 建設項目環(huán)境影響報告表項目名稱： 項目名稱：高精密半導體引線框架及 高精密半導體引線框架及 AMOLED 蒸鍍用高精度金屬掩模板（一期）項目 鍍用高精度金屬掩模板（一期）項目建設單位： 建設單位： 安徽立德半導體材料有限公司 安徽立德半導體材料有限公司編制單位：安徽長之源環(huán)境工程有限公司 編制單位：安徽長之源環(huán)境工程有限公司編制時間： 編制時間：2020 年 8 月生態(tài)環(huán)境部 生態(tài)環(huán)境部制安徽立德半導體材料有限公

2、司高精密半導體引線框架及 AMOLED 蒸鍍用高精度金屬掩模板 （一期） 項目環(huán)境影響報告表3目 錄1.建設項目基本情況............................................................................................. 12. 建設項目所在地自然環(huán)境社會環(huán)境簡況.............................................

3、........193.環(huán)境質量狀況................................................................................................... 224.評價適用標準............................................................................................

4、....... 305.建設項目工程分析........................................................................................... 326.項目主要污染物產(chǎn)生及預計排放情況...........................................................347.環(huán)境影響分析...................

5、................................................................................ 368.建設項目營運期擬采取的防治措施及預期治理效果.................................. 879.結論與建議.....................................................................