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1、隨著高密度的電子封裝技術(shù)快速發(fā)展,焊點(diǎn)的尺寸和互連高度不斷減小,界面反應(yīng)和界面微觀結(jié)構(gòu)對(duì)焊點(diǎn)性能的影響越來(lái)越大,對(duì)焊點(diǎn)的可靠性提出了新的要求。另一方面,Sn-Ag系合金焊料被認(rèn)為是迄今為止封裝行業(yè)中最理想的無(wú)鉛焊料。但是,Sn-Ag二元合金相比于傳統(tǒng)錫鉛焊料,在潤(rùn)濕性和熔點(diǎn)上仍有一定差距。通過(guò)加入其它元素的方式能夠提高 S n-Ag合金的性能,其中最具有發(fā)展前景的是 S nAgZn和S nAgC u合金。
本文選取了S n-3
2、.5Ag-0.7C u、S n-2Ag-2.5Z n、S n-2Ag-4Zn作為焊料合金,利用單晶銅作為基體,采用等溫時(shí)效的方法,對(duì)不同焊料和銅單晶的界面反應(yīng)進(jìn)行研究,得出金屬間化合物(Intermetallic Compound,IMC)的分析結(jié)果,及其生長(zhǎng)動(dòng)力學(xué)隨基體取向和焊料組分的變化規(guī)律;此外,本文還探討了互連高度對(duì)焊點(diǎn)IMC生長(zhǎng)的影響。
研究表明:S n-3.5Ag-0.7C u/C u焊點(diǎn)在回流過(guò)程中,界面處形成C
3、u6Sn5金屬間化合物,單晶銅表面銅原子的溶解速率更快,在靠近銅一側(cè)的焊料中形成銅濃度較高的區(qū)域,生成的C u6 Sn5層厚度要比多晶銅的更大。(111)晶面銅單晶上的Cu6Sn5呈棱柱狀分布,具備一定的擇優(yōu)取向。隨著回流溫度的升高,(111)晶面銅單晶上的Cu6 Sn5逐步從扇貝狀向棱柱狀變化。在老化的過(guò)程當(dāng)中,界面金屬間化合物層的厚度持續(xù)增大,IMC形貌變得平整,在Cu6 Sn5層和銅基板之間出現(xiàn)Cu3Sn層,單晶銅上Cu3Sn的生
4、長(zhǎng)速率大于多晶銅上Cu3 Sn的生長(zhǎng)速率,相反地,單晶銅上Cu6Sn5的生長(zhǎng)速率小于多晶銅上Cu6Sn5的生長(zhǎng)速率。
S n-2Ag-2.5Zn/C u焊點(diǎn)在回流過(guò)程中界面形成一層連續(xù)的扇貝狀Cu6Sn5,單晶銅表面形成Cu6 Sn5晶粒尺寸要比多晶銅的大。當(dāng)采用含Zn量較高的Sn-2Ag-4Zn焊料進(jìn)行焊接時(shí),界面形成Cu5Zn8和Cu6 Sn5雙層結(jié)構(gòu)。時(shí)效過(guò)程中,Cu5 Zn8不穩(wěn)定,發(fā)生破碎,焊料與銅基板直接接觸造成C
5、u6Sn5快速生長(zhǎng)。
互連高度對(duì)于 Cu/SnAgCu/Cu的界面反應(yīng)有一定影響。在回流過(guò)程中,隨著互連高度的減小,界面IMC的厚度減小。對(duì)于10μm焊點(diǎn),當(dāng)時(shí)效時(shí)間達(dá)到384 h,上下界面的IMC相互接觸,焊料層消耗完全,Cu6Sn5停止生長(zhǎng)。Cu/SnAgCu/Cu焊點(diǎn)的上下界面IMC具有不同生長(zhǎng)速率,(111)銅上的Cu3 Sn的生長(zhǎng)速率要遠(yuǎn)大于多晶銅上Cu3Sn的生長(zhǎng)速率。主要原因是(111)銅上形成的Cu3 Sn晶粒
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