復(fù)雜電磁環(huán)境下激光探測(cè)系統(tǒng)電磁屏蔽技術(shù)研究.pdf_第1頁(yè)
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1、隨著軍事技術(shù)和光電對(duì)抗技術(shù)的發(fā)展,未來(lái)戰(zhàn)場(chǎng)的電磁對(duì)抗環(huán)境將越來(lái)越嚴(yán)峻。激光探測(cè)系統(tǒng)對(duì)抗復(fù)雜電磁環(huán)境的需求也逐漸迫切。為了解決這一問(wèn)題。本文根據(jù)特定的激光工作波段,對(duì)鍍金屬網(wǎng)柵和ITO透明導(dǎo)電膜兩種整流罩的電磁屏蔽效能、透光性及成像性進(jìn)行研究,來(lái)實(shí)現(xiàn)激光探測(cè)系統(tǒng)抗復(fù)雜電磁環(huán)境干擾的目的。
  本文采用了金屬網(wǎng)柵和ITO透明導(dǎo)電膜濾波技術(shù),完成了激光探測(cè)系統(tǒng)光學(xué)整流罩抗電磁波屏蔽、透光性、成像性實(shí)驗(yàn)。用等效電路模型理論分析了金屬網(wǎng)柵的

2、周期和寬度等結(jié)構(gòu)參數(shù)對(duì)電磁波屏蔽作用的影響,得出了減小網(wǎng)柵的周期或增加網(wǎng)柵的線寬可以提高電磁屏蔽效能的結(jié)論,光學(xué)系統(tǒng)的透過(guò)率則與其相反。網(wǎng)柵的周期越大,線寬越小則透波性越好;用分層媒質(zhì)理論分析了ITO透明導(dǎo)電膜的介質(zhì)電導(dǎo)率對(duì)電磁波屏蔽效能的影響,得出了減小電導(dǎo)率可以提高ITO透明導(dǎo)電膜屏蔽效能的結(jié)論,光學(xué)系統(tǒng)透過(guò)率則與膜層的厚度成反比。采用激光直寫(xiě)的方法制備了周期為:400μm,線寬為:9μm金屬網(wǎng)柵整流罩;采用射頻磁控濺射法制備了方塊

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