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文檔簡介
1、隨著無線通信技術(shù)的發(fā)展,同時支持多種通信標(biāo)準(zhǔn)的寬帶接收機(jī)已逐漸成為研究熱點(diǎn)。不同于傳統(tǒng)的窄帶接收機(jī),寬帶接收機(jī)去除了片外濾波器,更易受到大信號的干擾,因此其抗阻塞性能至關(guān)重要。本文圍繞寬帶抗阻塞接收機(jī)射頻前端展開研究,設(shè)計了寬帶低噪聲放大器(LNA)、無源混頻器和分頻器等電路模塊。
基于IBM0.13μm SiGe BiCMOS工藝,本文設(shè)計了三款寬帶低噪聲放大器,并根據(jù)需要選擇共基LNA作為低噪聲放大器的最終結(jié)構(gòu)。共基LNA
2、提供兩種增益選擇,在高增益模式下具有較高的輸出阻抗,以達(dá)到較大的阻塞抑制比,并采用電感峰化技術(shù)以提高帶寬、降低噪聲;在低增益模式下具有較高的線性度。
本文結(jié)合單平衡和雙平衡混頻器的優(yōu)點(diǎn),設(shè)計了一個正交無源混頻器,其在完成信號下變頻的同時,與基帶電容共同在LNA輸出端形成高Q值射頻帶通濾波器,用于濾除阻塞信號。與此同時,本文設(shè)計了一個二分頻器,為混頻器提供25%占空比的非交疊本振信號。最后,本文針對混頻器結(jié)構(gòu)的特點(diǎn),設(shè)計了具有高
3、線性度的輸出緩沖器,實現(xiàn)了輸出匹配,便于測試。
本文設(shè)計的射頻前端供電電壓為1.8V和2.7V,芯片面積為0.32mm2,工作頻率為0.92GHz~2.4GHz,高增益模式下的噪聲系數(shù)小于3.75dB,在距離接收信號80MHz頻偏處的阻塞抑制比達(dá)到16.5dB,當(dāng)80MHz頻偏處存在0dBm的阻塞信號時,射頻前端的噪聲系數(shù)為14.7dB,具有良好的抗阻塞性能。低增益模式下帶外IIP3為-1.4dBm,帶外P1dB為-1.7dB
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