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1、石墨烯以其優(yōu)異的性質(zhì)展現(xiàn)出廣闊的應(yīng)用前景,已經(jīng)成為最熱點(diǎn)的研究領(lǐng)域之一。高質(zhì)量的石墨烯制備成為材料性質(zhì)研究和新應(yīng)用開(kāi)發(fā)的重要基礎(chǔ)。以過(guò)渡金屬為生長(zhǎng)基底、含碳物質(zhì)為原料、惰性氣體及氫氣為輔助氣氛的化學(xué)氣相沉積法是實(shí)現(xiàn)石墨烯的可控制備最有潛力的方法之一。其中,關(guān)于氫氣在石墨烯生長(zhǎng)各階段的作用,尤其是對(duì)碳原子在金屬內(nèi)部的溶解和析出行為的影響規(guī)律,是石墨烯控制制備亟待解決的關(guān)鍵課題之一。此方面的系統(tǒng)研究尚少。
本課題的研究?jī)?nèi)容之一是研
2、究氫氣在化學(xué)氣相沉積各單元步驟中對(duì)催化金屬及石墨烯生長(zhǎng)的影響規(guī)律。研究首先用原子力顯微鏡(AFM)、掃描電子顯微鏡(SEM)、電子背散射衍射(EBSD)和拉曼光譜儀(Raman spectroscopy)等表征手段,比較了在生長(zhǎng)階段引入H2與否的兩種模式下的銅箔的表面形貌和結(jié)晶取向,以及石墨烯隨CVD反應(yīng)時(shí)間的生長(zhǎng)演變過(guò)程三個(gè)方面的差異。結(jié)果顯示:在生長(zhǎng)階段不通入H2會(huì)使銅箔表面具有更多的皺褶、更小的銅晶粒尺寸、更多的晶界,以及更快的石
3、墨烯生長(zhǎng)速率。在生長(zhǎng)階段不通入H2氣體的情況下,利用常壓化學(xué)氣相沉積(CVD)在銅箔表面合成了單層石墨烯。截面TEM、HR-TEM、SAED、以及方塊電阻值710Ωsq-1都表明了石墨烯具有極高的結(jié)晶質(zhì)量。為了進(jìn)一步闡明H2的作用,我們?cè)O(shè)計(jì)在CVD反應(yīng)(如升溫、退火、生長(zhǎng)和降溫階段)的單獨(dú)階段或者多個(gè)階段分別通入H2進(jìn)行石墨烯生長(zhǎng)分析。結(jié)果表明:在生長(zhǎng)階段H2的參與是高質(zhì)量石墨烯生長(zhǎng)的關(guān)鍵因素。結(jié)合氫分析儀等表征手段,我們證實(shí)了CH4高
4、溫分解出的H2不能輔助生長(zhǎng)高質(zhì)量石墨烯,而在升溫或者退火階段儲(chǔ)存在銅金屬內(nèi)部的H2可以在生長(zhǎng)階段釋放出來(lái)促進(jìn)石墨烯的生長(zhǎng)。
本課題的研究?jī)?nèi)容之二是研究石墨烯初期形核密度和生長(zhǎng)速率的影響規(guī)律。利用磁控濺射技術(shù)在c-plane sapphire(0001)襯底均勻?yàn)R射了一定厚度的Cu(111)晶面的銅膜,并通過(guò)CVD法常壓合成了石墨烯,利用光學(xué)顯微鏡和拉曼光譜對(duì)退火處理后的銅膜和轉(zhuǎn)移的石墨烯進(jìn)行了表征。結(jié)果發(fā)現(xiàn)銅膜和石墨烯質(zhì)量較高
5、。通過(guò)對(duì)石墨烯島的動(dòng)力學(xué)影響研究,發(fā)現(xiàn)氫氣流量過(guò)低不利于降低石墨烯島的成核密度,而氫氣流量過(guò)多對(duì)石墨烯島的刻蝕速率快于石墨烯島的生長(zhǎng)速率,嚴(yán)重刻蝕了石墨烯島的邊緣。設(shè)計(jì)利用“兩段法”分別控制石墨烯的形核和生長(zhǎng),有效降低了石墨烯島的成核密度,合成了形狀更加規(guī)則的離散石墨烯島。
本課題的研究?jī)?nèi)容之三是研究氫氣對(duì)石墨烯CVD生長(zhǎng)過(guò)程中碳的溶解和析出兩個(gè)過(guò)程的影響規(guī)律。研究選擇具有不同碳溶解度的銅和鈷兩種金屬作為生長(zhǎng)基底,利用甲烷作為
6、碳源,在大氣壓條件下生長(zhǎng)石墨烯。研究在退火階段預(yù)溶解的H2以及生長(zhǎng)階段與CH4同時(shí)通入的H2對(duì)金屬表面的化學(xué)環(huán)境,以及石墨烯的厚度、結(jié)晶質(zhì)量、連續(xù)性的影響。結(jié)果表明,預(yù)先溶解的H2抑制了碳溶解進(jìn)銅膜,但提高了碳原子析出量;反之,H2提高碳原子在鈷膜中的溶解量,抑制碳的析出。據(jù)此,我們發(fā)展了無(wú)需通入氫氣在銅膜上合成高質(zhì)量石墨烯的方法。
本課題初步闡明了氫氣在CVD合成石墨烯過(guò)程中扮演的復(fù)雜的角色,探究了氫氣對(duì)碳的溶解和析出過(guò)程的
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