納米Al-MoOx薄膜的制備表征及其在含能SCB上的應用.pdf

1、利用磁控濺射工藝制備納米Al/MoOx薄膜，借助FESEM、AFM、XRD、XPS和DSC分析薄膜性質。結果表明:所制備的納米Al/MoOx薄膜表面平整，層狀結構清晰，層與層之間連接緊密，成膜質量好;納米Al/MoOx薄膜中的Al以正方晶系存在，MoOx以非晶或弱的多晶狀態(tài)存在，其組分包括:MoO3、Mo2O5和MoO2;納米Al/MoOx薄膜的DSC曲線有兩個放熱峰，總反應放熱量為3524J/g（達到理論放熱量的75％），高出微米級厚

2、度的Al/MoOx薄膜放熱量40.5％。
　　采用磁控濺射和反轉剝離工藝將納米Al/MoOx薄膜集成于SCB，制備出含能半導體橋SCB-Al/MoOx。在SCB-Al/MoOx腳線間并聯(lián)NTC熱敏電阻，可提高其抗射頻能力。選用47μF固體鉭電容作為發(fā)火激勵源，測試SCB-Al/MoOx與普通SCB之間的電爆性能差異。結果表明:SCB-Al/MoOx的電阻、臨界發(fā)火時間及臨界發(fā)火能量與普通SCB相比，無明顯差異;電容作用總時間、作用

3、總能量由于受到薄膜反應放出的熱量影響，與普通SCB相比，明顯減小;相同激勵條件下，SCB-Al/MoOx的電容輸入能量利用率低于普通SCB，但由于薄膜發(fā)火釋放出大量熱，其輸出能量效率高于普通SCB;SCB-Al/MoOx發(fā)火時生成的等離子體溫度、發(fā)火持續(xù)時間、火焰高度和火焰面積均大于普通SCB;當自支撐Al/Ni薄膜與橋區(qū)存在一定間隙時，相同激勵條件下，普通SCB不能點燃封裝于其上的Al/Ni薄膜，而SCB-Al/MoOx可以可靠的點燃