2023年全國(guó)碩士研究生考試考研英語(yǔ)一試題真題(含答案詳解+作文范文)_第1頁(yè)
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1、目前,超導(dǎo)氮化鈮(NbN)薄膜是制備高性能單光子超導(dǎo)器件(SSPD)和超導(dǎo)熱電子測(cè)輻射熱儀(HEB)的首選超導(dǎo)材料,受到廣泛的研究和關(guān)注。NbN具有較高的超導(dǎo)臨界轉(zhuǎn)變溫度(Tc>16K)和臨界電流密度。通常,采用磁控濺射的技術(shù)在和NbN晶格常數(shù)相近的單晶基片(如MgO)上生長(zhǎng)出高質(zhì)量的NbN薄膜。但是,MgO基片在THz頻段損耗較大,同時(shí)微納加工較困難。硅基NbN薄膜器件相比MgO基器件其主要優(yōu)勢(shì)在于:
 ?、俟ぷ髟赥Hz頻段損耗

2、極低;
 ?、谖⒓{加工工藝技術(shù)成熟;
  ③容易實(shí)現(xiàn)超導(dǎo)探測(cè)器件與半導(dǎo)體器件的集成;
  ④成本較低。
  但是,由于NbN與Si基片的晶格失配度較大(19﹪),導(dǎo)致硅基NbN薄膜很難實(shí)現(xiàn)外延生長(zhǎng),使其超導(dǎo)性能嚴(yán)重下降。本工作提出使用氮化鈦(TiN)作為Si和NbN的過(guò)渡層的設(shè)想:一方面,兩者均為面心立方結(jié)構(gòu),晶格常數(shù)相近,因此TiN過(guò)渡層有利于NbN的生長(zhǎng);另一方面,TiN中的Ti和N兩個(gè)元素在制備過(guò)程中即使擴(kuò)

3、散到NbN薄膜,不僅不會(huì)損害反而有利于提高其超導(dǎo)性能。
  本實(shí)驗(yàn)采用直流反應(yīng)磁控濺射法在Si(100)基片上來(lái)制備TiN和NbN薄膜,首先我們對(duì)制備TiN薄膜的工藝參數(shù)進(jìn)行了優(yōu)化,所制備的TiN薄膜的質(zhì)量與薄膜制備時(shí)的沉積壓強(qiáng)、氮?dú)夂蜌鍤獾牧髁勘取⒊练e時(shí)的功率等工藝參數(shù)密切相關(guān),其次我們使用優(yōu)化后的TiN薄膜作為Si基片上生長(zhǎng)NbN薄膜的過(guò)渡層。通過(guò)XRD、AFM、SEM、TEM、PPMS等測(cè)試手段對(duì)NbN/TiN/Si(100

4、)雙層薄膜的相結(jié)構(gòu)、表面形貌、界面形貌和超導(dǎo)性能進(jìn)行了表征。
  實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明:TiN過(guò)渡層上生長(zhǎng)的5-80nm厚的NbN薄膜的超導(dǎo)轉(zhuǎn)變溫度比直接在Si(100)基片上生長(zhǎng)的薄膜提高了1-3k左右。我們對(duì)TiN薄膜作為生長(zhǎng)NbN薄膜的過(guò)渡層可以提高NbN薄膜的超導(dǎo)性能這一現(xiàn)象作出了解釋,使NbN薄膜超導(dǎo)性能提高的原因有三點(diǎn);其一是TiN薄膜過(guò)渡層的存在為NbN薄膜的生長(zhǎng)提供了晶格匹配的模板;其二是TiN薄膜過(guò)渡層的存在提高了NbN

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