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文檔簡介
1、二氧化鈦半導體材料能在光的激發(fā)下產(chǎn)生光生電子空穴對,所以其在光催化和光電轉換等方面具有廣闊的應用。增加比表面積是一種提高二氧化鈦的光催化效率的有效方法。
具有一維納米結構的二氧化鈦納米管與其他形貌的納米二氧化鈦相比,由于其更大的比表面積、更易于分離光生電子-空穴對,具有更高的光催化效率。而且二氧化鈦納米管具有的中空結構為其提供了更大的改性空間,能在內外壁進行修飾、沉積,以改善二氧化鈦的性能。甚至能在納米管的基礎上制備出更加復雜
2、的、具有更大比表面積的復雜結構,因此二氧化鈦納米管一直是學術界關注和研究的重點。
本文首先研究了脈沖電源與直流穩(wěn)壓電源對陽極氧化的影響,確定了脈沖電源在陽極氧化過程中的使用優(yōu)勢,并針對脈沖電源的輸出方式進行了詳細研究,確定了95%占空比和30Hz頻率的輸出方式能在其他參數(shù)不變時,產(chǎn)生優(yōu)異的納米管陣列,從而優(yōu)化了實驗工藝。
通過改變實驗條件,采用交替循環(huán)電壓制備了具有竹節(jié)狀結構的二氧化鈦納米管,詳細研究了各影響因素對竹
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