毫米波亞毫米波段InP HBT特性及模型研究.pdf

1、無線通信產(chǎn)業(yè)的發(fā)展和移動互聯(lián)設備的增加對無線通信頻段帶寬提出了更高的需求，毫米波頻段十分可觀的資源顯得更有吸引力，通信產(chǎn)業(yè)的發(fā)展同時也促進了毫米波器件的研制。InP基HBT器件作為一類毫米波器件擁有線性度好、高增益、高功率密度、高截止頻率、相位噪聲低等優(yōu)點，是光纖通信和無線通信應用領域的重要高頻電子器件之一。
　　HBT器件原理與BJT基本一致，先前數(shù)類BJT模型仍能夠用于HBT器件的參數(shù)提取，但是此類模型用于參數(shù)提取的準確性低且

2、適用性有限，模型拓撲網(wǎng)絡和器件實際物理結構及相關寄生效應無法嚴格對應，因此開發(fā)出針對InP基HBT的準確模型十分必要。
　　本文首先對HBT的發(fā)展歷程進行概述，比較了不同材料系HBT的優(yōu)缺點，介紹了HBT器件的工作原理。之后介紹了原本針對BJT進行開發(fā)的簡單器件模型EM、GP，以及對HBT進行過優(yōu)化的兩類高級模型VBIC和HICUM，重點闡述了專門針對III-V族化合物HBT器件開發(fā)的AgilentHBT模型。文章完成了VBIC、

3、HICUM、AgilentHBT三類模型DC–66GHz的模型提取，并在DC、渡越時間、特征頻率曲線上比較了三類模型的參數(shù)擬合精度，得出相對適用于 InP基 HBT毫米波亞毫米波段參數(shù)提取的模型。在文章最后介紹了利用 AgilentHBT模型對InP基HBT器件進行75-110GHz、220-325GHz頻段大信號建模的完整流程，并且在直流、電壓電容關系、渡越時間、特征頻率和 S參數(shù)上進行了模型準確性的驗證。最后在220GHz-325G