國產半導體氧化膜刻蝕設備工藝研發(fā)與量產應用.pdf

1、以“實現半導體設備國產化”為己任，本論文以Primo D-RIE設備為平臺，對半導體氧化膜刻蝕設備工藝研發(fā)與量產應用的過程進行了研究和分析，對大馬士革刻蝕工藝，第一鈍化層刻蝕工藝，第二鈍化層刻蝕工藝等進行了優(yōu)化和研究。在大馬士革溝槽刻蝕工藝中，本論文對傳統(tǒng)工藝進行了優(yōu)化，提高了次溝槽（Micro Trench）和氧化物柵欄（Fence）的工藝窗口，安全工藝窗口分別為+/-5s和+/-10s，保證了良好的物理形貌。在第一鈍化層刻蝕工藝中，

2、創(chuàng)新地提出了一體化刻蝕（All in One），改進了第一鈍化層一體化刻蝕工藝，使生產成本節(jié)約了50％以上。在第二鈍化層刻蝕工藝研究中，對設備作業(yè)模式進行了改良，通過定期進行上電極清潔程式，使工藝腔體維護清洗周期從80小時延長至130小時，產能增加20%，生產成本節(jié)約60%，產品表面顆粒缺陷報廢率由萬分之三降低至零，提高了工藝穩(wěn)定性。通過對以上三道刻蝕工藝進行工藝研發(fā)和量產應用，從刻蝕速率均一性，刻蝕速率選擇比，調試氣體應用，刻蝕終點自