介質(zhì)材料對(duì)納秒脈沖介質(zhì)阻擋放電影響的研究.pdf

1、介質(zhì)阻擋放電是產(chǎn)生均勻非平衡等離子體的最簡(jiǎn)單的方式之一，其產(chǎn)生的等離子體由于具有低溫、粒子密度適中和化學(xué)活性粒子種類多等特點(diǎn)，在生物醫(yī)學(xué)、材料表面改性方面有著巨大的應(yīng)用。本文采用雙向納秒脈沖電源在針-板式電極結(jié)構(gòu)下獲得了穩(wěn)定彌散大氣壓低溫等離子體，重點(diǎn)研究了介質(zhì)板材料對(duì)納秒脈沖介質(zhì)阻擋放電等離子體均勻性的影響。在此過(guò)程中，利用光柵光譜儀、電壓電流探頭和示波器對(duì)產(chǎn)生的等離子體進(jìn)行了光學(xué)診斷和電學(xué)診斷，取得的結(jié)果如下:
　　1.利用針

2、板式電極結(jié)構(gòu)，采用雙向納秒脈沖電源在大氣壓空氣中獲得了彌散的介質(zhì)阻擋放電等離子體，并且研究了不同介質(zhì)材料對(duì)放電均勻性和N2(C3Πu→B3Πg，0-0，337.1nm)發(fā)射光譜強(qiáng)度的影響，探究了脈沖峰值電壓和電極間隙對(duì)N2(C3Πu→B3Πg，0-0，337.1nm)發(fā)射光譜強(qiáng)度以及介質(zhì)板表面等離子體面積的影響。實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)，相對(duì)介電常數(shù)較大的材料做阻擋介質(zhì)時(shí)，N2（C3Πu→B3Πg，0-0，337.1nm）的發(fā)射光譜強(qiáng)度更強(qiáng)，但是放電均

3、勻性要差一下;隨著脈沖峰值電壓的增加，N2（C3Πu→B3Πg，0-0，337.1nm）的發(fā)射光譜強(qiáng)度和介質(zhì)板表面等離子體面積變大;隨著電極間隙的增大，N2（C3Πu→B3Πg，0-0，337.1nm）和介質(zhì)板表面等離子體面積減小。
　　2.利用Specair軟件將實(shí)驗(yàn)測(cè)得的N2（C3Πu→B3Πg，0-2）和N2(C3Πu→B3Πg，1-3)的發(fā)射光譜與模擬光譜擬合，確定了脈沖峰值電壓為26kV，脈沖重復(fù)頻率為150Hz時(shí)，分別