MeV重離子注入光電晶體光波導的制備和特性研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、該文主要研究重離子注入方法在偏硼酸鋇(BBO)晶體、同化學計量比鈮酸鋰(SLN)晶體、硅酸鎵鑭(LGS)晶體、摻釹釩酸镥(Nd:LuVO<,4>)和摻釹釩酸釓(Nd:GdVO<,4>)激光晶體、熔融石英等光學材料上形成光波導,通過對光波導的導波模式和傳輸損耗的測試和退火行為的研究,優(yōu)化離子注入光波導的形成條件;用戶瑟福背散射/溝道等技術研究了光波導中的損傷分布,對重離子注入晶體材料折射率改變的形成機理進行了探討;成功的利用離子注入形成了

2、條形光波導,觀察到了光波導的條形傳輸線,并得到了波導模的光強分布.主要結果如下:通過對重離子注入光學晶體光波導的特性研究,對離子注入引起的折射率改變的形成機理進行了初步探討,提出對于具有較高的雙折射性的晶體,在離子注入的過程中,折射率的變化不僅與注入造成的晶格損傷使晶格密度發(fā)生變化有關,還與入射離子在注入過程中與晶格中的電子相互作用,使晶體內(nèi)的極化率的各向異性降低等因素有關.MeV離子注入造成的晶格損傷可以使晶體的體積膨脹,密度減小,使

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