

版權(quán)說(shuō)明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)
文檔簡(jiǎn)介
1、目前全球的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展如火如荼,特別是近年來(lái)在全球能源短缺、環(huán)境惡化等考驗(yàn)下,GaN基垂直結(jié)構(gòu)是實(shí)現(xiàn)高電壓大電流器件的最佳選擇,不會(huì)受到因薄膜表面質(zhì)量差而引起的熱問(wèn)題,可以在晶片上提供較多的管芯,能夠滿足工業(yè)領(lǐng)域?qū)Υ蠊β?、低功耗的需求。本文闡述了GaN材料的基本性質(zhì),并對(duì)GaN垂直功率二極管的工作機(jī)制做了分析,重點(diǎn)探討了影響垂直器件優(yōu)值的結(jié)構(gòu)參數(shù),并對(duì)橫向和垂直二極管做了詳細(xì)對(duì)比,指出了垂直二極管的優(yōu)勢(shì)以及橫向二極管的不足,接著提出了
2、兩種新型耐壓結(jié)構(gòu):新型電荷補(bǔ)償結(jié)構(gòu)、高/低K復(fù)合介質(zhì)層耐壓結(jié)構(gòu),經(jīng)過(guò)仿真計(jì)算可知,新結(jié)構(gòu)均可以明顯提升器件擊穿電壓的同時(shí)具有低導(dǎo)通電阻。
本研究針對(duì)pn結(jié)邊緣電場(chǎng)線集中而導(dǎo)致器件提前擊穿以及n型GaN體內(nèi)電場(chǎng)分布不均的問(wèn)題,提出一種新型的GaN基垂直功率二極管,該垂直二極管具有電荷補(bǔ)償結(jié)構(gòu),其可以利用負(fù)的固定電荷可以引起 n型半導(dǎo)體界面形成反型層,產(chǎn)生高濃度的空穴擴(kuò)展了體內(nèi)耗盡區(qū)寬度,大幅度提升了擊穿電壓。經(jīng)仿真優(yōu)化驗(yàn)證,結(jié)果
3、表明在n型GaN厚度為17.5μm,摻雜濃度為2×1016cm-3時(shí)實(shí)現(xiàn)了功率二極管的擊穿電壓5965V、導(dǎo)通電阻為1.52mΩ?cm2,接近GaN材料的極限。該新結(jié)構(gòu)工藝可行性尚需時(shí)間驗(yàn)證,但是卻為高功率GaN基垂直二極管的研究設(shè)計(jì)提供了新的思路。為了進(jìn)一步提升器件的性能,并基于現(xiàn)有的工藝條件,提出了一種具有高/低K復(fù)合介質(zhì)層的GaN基垂直功率二極管,復(fù)合介質(zhì)層結(jié)構(gòu)具有一層介電常數(shù)較高的介質(zhì)層和多層介電常數(shù)較低的介質(zhì)層,并沿電流方向交
4、替排列形成。不同介質(zhì)層之間的介電常數(shù)不同,從而引起電場(chǎng)分布在介質(zhì)層界面不連續(xù),這將會(huì)將會(huì)影響pn結(jié)內(nèi)的電場(chǎng)分布,可以有效降低pn結(jié)結(jié)面處電場(chǎng)峰值,而遠(yuǎn)離pn結(jié)結(jié)面的電場(chǎng)可以得到明顯提升,從而使二極管體內(nèi)中電場(chǎng)分布變得均勻,因此能夠顯著提高器件的反向耐壓能力。仿真優(yōu)化結(jié)果表明在n型GaN厚度為34.5μm,摻雜濃度為1×1016cm-3時(shí)擊穿電壓達(dá)到10650V,相比常規(guī)結(jié)構(gòu),耐壓提升了近216%,而且導(dǎo)通電阻僅為5.83mΩ?cm2,平
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無(wú)特殊說(shuō)明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒(méi)有圖紙預(yù)覽就沒(méi)有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫(kù)僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- GaN功率器件擊穿機(jī)理與耐壓新結(jié)構(gòu)研究.pdf
- GaN基微波功率器件與耐壓新結(jié)構(gòu)研究.pdf
- GaN基HEMTs器件新結(jié)構(gòu)與耐壓特性研究.pdf
- GaN HEMT功率器件新結(jié)構(gòu)和模型研究.pdf
- 硅基GaN功率MISFET新結(jié)構(gòu)研究.pdf
- GaN基FP-HEMT器件的新結(jié)構(gòu)與解析模型研究.pdf
- 垂直型GaN基HEMT器件的耐壓特性研究.pdf
- GaN基太赫茲器件的新結(jié)構(gòu)及材料生長(zhǎng)研究.pdf
- GaN基垂直結(jié)構(gòu)LED關(guān)鍵工藝研究.pdf
- 大功率GaN基白光LED熒光材料與器件.pdf
- Si基GaN HEMT功率電子器件研制.pdf
- AlGaN-GaN HFET擊穿特性分析與耐壓新結(jié)構(gòu).pdf
- GaN基FinFET器件結(jié)構(gòu)及特性研究.pdf
- GaN基器件肖特基接觸的新結(jié)構(gòu)和新材料的研究.pdf
- 復(fù)合緩沖層GaN基異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料與器件研究.pdf
- 新型耐壓結(jié)構(gòu)AlGaN-GaN HEMT功率器件研究.pdf
- 電導(dǎo)增強(qiáng)型橫向功率MOS器件新結(jié)構(gòu)與機(jī)理研究.pdf
- AlGaN-GaN微波功率器件建模與功率合成研究.pdf
- Si基GaN橫向功率二極管新結(jié)構(gòu)研究.pdf
- GaN基諧振腔結(jié)構(gòu)發(fā)光器件研究.pdf
評(píng)論
0/150
提交評(píng)論