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1、分類號(hào)密級(jí)UDC1注學(xué)位論文場(chǎng)發(fā)射陰極的計(jì)算機(jī)模擬(題名和副題名)王小菊(作者姓名)指導(dǎo)教師姓名林祖?zhèn)惤淌陔娮涌萍即髮W(xué)成都(職務(wù)、職稱、學(xué)位、單位名稱及地址)申請(qǐng)專業(yè)學(xué)位級(jí)別碩士專業(yè)名稱物理電子學(xué)論文提交日期2006.2論文答辯日期2006.3學(xué)位授予單位和日期電子科技大學(xué)答辯委員會(huì)主席評(píng)閱人2006年月日注1:注明《國(guó)際十進(jìn)分類法UDC》的類號(hào)。摘要I摘要與傳統(tǒng)的熱陰極相比,場(chǎng)發(fā)射陣列陰極具有許多獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn),如無(wú)需加熱,可以在室溫下工
2、作;電流密度比熱陰極高幾個(gè)數(shù)量級(jí),并可工作在低電壓調(diào)制下;功耗低;極好的開關(guān)特性;可瞬時(shí)啟動(dòng)等。目前,場(chǎng)致發(fā)射陣列陰極的應(yīng)用領(lǐng)域十分廣泛,主要包括微波器件(應(yīng)用于TWTs,Klystron等)、平板顯示器(FEDs)、電子顯微鏡及電子束刻蝕系統(tǒng)等。其中,應(yīng)用研究的焦點(diǎn)主要集中在平板顯示器和射頻功率放大器。針對(duì)目前場(chǎng)發(fā)射陣列陰極的研究情況,較為常用的是鉬微尖場(chǎng)發(fā)射陣列和硅微尖場(chǎng)發(fā)射陣列。然而,這兩種陰極存在各自的缺點(diǎn),如鉬尖錐是蒸鍍?cè)诨?/p>
3、上的,所以與基底的附著力不強(qiáng);而硅的特性又決定了其熱穩(wěn)定性差,發(fā)射的可靠性低,發(fā)射電流有限。因此,在改善制作工藝的基礎(chǔ)上,尋找新型的陰極材料變得非常重要。經(jīng)試驗(yàn)證明,六硼化鑭(LaB6)具有高導(dǎo)電率和良好的熱穩(wěn)定性、化學(xué)穩(wěn)定性、低功函數(shù)以及活性陰極表面,因此從理論上成為了場(chǎng)發(fā)射陰極的理想材料。利用計(jì)算機(jī)來(lái)模擬電子器件的性能,可以在實(shí)驗(yàn)前預(yù)測(cè)器件的性能,探討器件結(jié)構(gòu)尺寸、材料等因素對(duì)器件特性的影響,減少實(shí)驗(yàn)的盲目性,從而可以減少實(shí)驗(yàn)次數(shù)、
4、節(jié)約實(shí)驗(yàn)經(jīng)費(fèi),因此關(guān)于場(chǎng)發(fā)射陰極的計(jì)算機(jī)模擬也是一個(gè)十分重要的研究課題。本文的工作旨在研究探索尖錐場(chǎng)發(fā)射陰極中各結(jié)構(gòu)參數(shù)對(duì)陰極發(fā)射性能的影響,以制作出性能優(yōu)良的場(chǎng)發(fā)射陣列陰極。本課題首先采用MAGIC軟件對(duì)三極管結(jié)構(gòu)的尖錐場(chǎng)發(fā)射陰極進(jìn)行了模擬計(jì)算,分別改變尖錐高度,錐尖位置,尖錐曲率半徑,柵極孔徑及柵極電壓,觀察陽(yáng)極收集電流及電子束的會(huì)聚情況。其次,采用本實(shí)驗(yàn)室的新型軟件EBS對(duì)三極管和雙門聚焦結(jié)構(gòu)的尖錐場(chǎng)發(fā)射陰極的發(fā)射情況進(jìn)行了模擬。
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