低維半導(dǎo)體納米材料的制備、微觀結(jié)構(gòu)及其形成機(jī)理的研究.pdf

1、本論文主要對(duì)低維半導(dǎo)體納米材料（零維鍺納米晶、一維磷化銦納米線）的制備、微觀結(jié)構(gòu)與生長(zhǎng)機(jī)理進(jìn)行了系統(tǒng)的研究。利用高分辨電子顯微學(xué)技術(shù)，闡明了其生長(zhǎng)機(jī)理，可為低維半導(dǎo)體納米材料的制備與應(yīng)用提供理論基礎(chǔ)。
　　本碩士論文共分為四章。
　　第一章首先對(duì)低維半導(dǎo)體納米材料的基本特性、制備方法、表征手段、應(yīng)用領(lǐng)域等方面進(jìn)行了綜述。
　　第二章通過(guò)離子注入法在非晶二氧化硅薄膜制得鍺納米晶，并在高溫下（700 oC-1100 oC）

2、進(jìn)行退火處理。研究發(fā)現(xiàn)，鍺納米晶的平均尺寸隨著退火溫度的升高而增加。透射電鏡觀察發(fā)現(xiàn)，在鍺納米晶內(nèi)部存在面缺陷與線缺陷，并且面缺陷與線缺陷的含量均隨退火溫度的改變而變化。當(dāng)退火溫度低于1000 oC時(shí)，面缺陷含量與退火溫度無(wú)明顯關(guān)系，而當(dāng)退火溫度自1000 oC升至1100 oC時(shí)，面缺陷含量急劇降低；線缺陷含量則隨著退火溫度的變化而發(fā)生顯著變化。此外，通過(guò)研究不同溫度下鍺納米晶位錯(cuò)的含量與內(nèi)部的殘余應(yīng)力的關(guān)系，發(fā)現(xiàn)位錯(cuò)的形成與內(nèi)應(yīng)力場(chǎng)

3、的釋放存在內(nèi)在聯(lián)系。
　　第三章通過(guò)固相源化學(xué)氣相沉積法制備了磷化銦納米線，利用電子顯微學(xué)技術(shù)對(duì)磷化銦納米線中存在的不同角度的彎曲結(jié)構(gòu)進(jìn)行了觀察，對(duì)其生長(zhǎng)機(jī)理進(jìn)行了研究。統(tǒng)計(jì)發(fā)現(xiàn)，在所制備的磷化銦納米線中，彎曲角度主要集中在70o，90o，110o與170o。對(duì)于約70o與110o的彎曲的形成主要是由于納米線中層錯(cuò)及孿晶的出現(xiàn)所造成的；約90o的彎曲則來(lái)自于局部非晶化；約170o彎曲則主要?dú)w因于小角晶界的出現(xiàn)。
　　第四章利