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文檔簡介
1、本文通過從頭計算研究Si2的勢能曲線和Si3分子的勢能面,并進一步研究硅團簇的結(jié)構(gòu)與性質(zhì)。為了熟悉掌握勢能函數(shù)的計算方法和計算技巧,首先對過渡金屬二聚物ScN分子的勢能函數(shù)進行了計算。采用高精度的從頭算(ab initio)方法-多參考組態(tài)相互作用方法(MRCI)和不同的基組計算了ScN分子基態(tài)和激發(fā)態(tài)的勢能曲線,借助LEVEL或者MOLCAS程序求解分子中核運動的薛定諤方程,得到了各電子態(tài)的光譜常數(shù),與實驗值進行比較。在對硅團簇體系勢
2、能函數(shù)的研究過程中,為了探索合適的從頭計算方法,分別采用單參考組態(tài)耦合團簇(CCSD(T))、完全活性空間自洽場(CASSCF)、MRCI幾種不同的計算方法對Si2分子基態(tài)的勢能曲線進行計算,通過對比確定計算方法的可靠性。并利用MRCI方法和aug-cc-pVTZ基組對Si2分子及其離子的基態(tài)和各激發(fā)態(tài)進行計算,運用非線性曲線擬合方法和Murrel-Sorbie(MS)勢能函數(shù)表達式對所得勢能曲線進行擬合,得到各個電子態(tài)的解析勢能函數(shù)(
3、APEFs),并由此確定了各個電子態(tài)的光譜常數(shù),與實驗值進行對比。對于Si3體系,根據(jù)Si2分子勢能函數(shù)研究中對計算方法的分析,分別采用CCSD(T)和CASSCF的計算方法及aug-cc-pVTZ基組,對Si3分子基態(tài)進行了大量能量點的從頭計算?;趶念^算結(jié)果,采用多體展式方法,以Si2分子勢能函數(shù)研究中確定的兩體項為基礎(chǔ),用Sorbie-Murrell(SM)勢能函數(shù)表達三體項,通過最小二乘法擬合得到了Si3分子基態(tài)的解析勢能函數(shù)。
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