鐵磁體—肖特基金屬體—半導體復合納米結構的巨磁阻效應.pdf

1、巨磁電阻(GMR)效應自發(fā)現(xiàn)以來即引起各國企業(yè)界及學術界的高度重視, GMR效應已成為當前凝聚態(tài)物理研究的熱點之一。它不僅具有重要的科學意義,而且具有多方面的應用價值。目前,GMR效應主要用于磁傳感器、隨機存儲器和高密度讀寫磁頭等方面。此外,GMR傳感器在自動化技術、家用電器、衛(wèi)星定位、導航、汽車工業(yè)、醫(yī)療等方面都具有廣泛的應用前景。
　　本論文研究了鐵磁體、肖特基金屬體和半導體復合納米結構中的GMR效應。全文共四章。第一章為緒論

2、,簡要地介紹了GMR效應的產(chǎn)生機理、不同體系中的GMR效應、以及GMR效應的應用;然后,介紹了磁納米結構的GMR效應的研究進展。最后,簡述了研究方法,包括處理納米結構的Landauer-Büttiker電導理論。
　　第二章中,從理論上研究了具有任意的磁化方向的鐵磁體和半導體復合納米體系中的GMR效應,其在實驗上可以通過在GaAs半導體異質(zhì)結的表面沉積兩個鐵磁條實現(xiàn)。本章的內(nèi)容分為兩節(jié),第一節(jié)研究了系統(tǒng)的GMR效應及磁化方向?qū)M

3、R效應的影響,研究表明,由于電子隧穿平行和反平行磁化構型時存在巨大的差異,這種納米結構擁有相當大的GMR效應。同時,研究表明鐵磁條的磁化方向強烈地影響該納米系統(tǒng)的磁阻比率;在第二節(jié)中,給金屬鐵磁條加上直流電壓,研究電壓對器件的GMR效應的影響,發(fā)現(xiàn)磁阻比率強烈的依賴于該電壓。
　　第三章,在前面的基礎上,通過在GaAs異質(zhì)結的表面沉積兩個平行納米金屬鐵磁條和一個肖特基金屬條,構建了一個巨磁阻器件。從理論上研究了這種鐵磁體、肖特基金