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文檔簡介
1、本論文采用提拉法生長出一系列無宏觀缺陷、光學質(zhì)量較好的Dy/Er-LiNbO3晶體,對生長的晶體進行了定向切割、拋光等處理,研究了晶體生長工藝、缺陷結(jié)構(gòu)及上轉(zhuǎn)換光學性能。
X射線衍射結(jié)果表明,Dy、Er的摻入并沒有改變LiNbO3單晶的晶體結(jié)構(gòu),只是使晶胞參數(shù)有微小變化。這說明Dy和Er均以取代Nb和Li的方式進入晶體。
通過對晶體的紅外吸收光譜和紫外可見吸收光譜的測試,分析了摻雜濃度對OH-吸收峰峰位的影響,從而解
2、釋了Dy和Er在LiNbO3中的占位規(guī)律。結(jié)果表明Dy3+和Er3+在LiNbO3晶體中可占據(jù)正常Li位和Nb位,形成孤位Dy3+、Er3+離子缺陷中心(DyLi2+、DyNb2+、ErNb2-和ErLi2+)和Dy3+、Er3+離子團位束缺陷中心(ErLi2+-ErNb2-、DyLi2+-DyNb2-、DyLi2+-ErNb2-及ErLi2+-DyNb2-),而Dy3+在濃度小于0.5mol%的時候,可能優(yōu)先占據(jù)反位Nb位。
3、 采用800nm光激發(fā),測試了晶體的上轉(zhuǎn)換發(fā)光譜及上轉(zhuǎn)換時間分辨光譜。重點分析了Dy3+和Er3+摻雜濃度對580nm和550nm處發(fā)光峰強度的影響,其中Er3+的摻入使對應(yīng)Dy3+的4F9/26H13/2躍遷的580nm上轉(zhuǎn)換發(fā)射強度增加一倍,但對Dy3+的4F9/2能級壽命沒有影響。而Dy3+的摻入對Er3+的4S3/24I15/2躍遷的550nm發(fā)光強度和壽命均有影響,說明Dy3+離子的一些能級參與到Er3+離子550nm發(fā)光的過
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