2023年全國碩士研究生考試考研英語一試題真題(含答案詳解+作文范文)_第1頁
已閱讀1頁,還剩66頁未讀, 繼續(xù)免費閱讀

下載本文檔

版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請進行舉報或認領(lǐng)

文檔簡介

1、本論文采用提拉法生長出一系列無宏觀缺陷、光學質(zhì)量較好的Dy/Er-LiNbO3晶體,對生長的晶體進行了定向切割、拋光等處理,研究了晶體生長工藝、缺陷結(jié)構(gòu)及上轉(zhuǎn)換光學性能。
  X射線衍射結(jié)果表明,Dy、Er的摻入并沒有改變LiNbO3單晶的晶體結(jié)構(gòu),只是使晶胞參數(shù)有微小變化。這說明Dy和Er均以取代Nb和Li的方式進入晶體。
  通過對晶體的紅外吸收光譜和紫外可見吸收光譜的測試,分析了摻雜濃度對OH-吸收峰峰位的影響,從而解

2、釋了Dy和Er在LiNbO3中的占位規(guī)律。結(jié)果表明Dy3+和Er3+在LiNbO3晶體中可占據(jù)正常Li位和Nb位,形成孤位Dy3+、Er3+離子缺陷中心(DyLi2+、DyNb2+、ErNb2-和ErLi2+)和Dy3+、Er3+離子團位束缺陷中心(ErLi2+-ErNb2-、DyLi2+-DyNb2-、DyLi2+-ErNb2-及ErLi2+-DyNb2-),而Dy3+在濃度小于0.5mol%的時候,可能優(yōu)先占據(jù)反位Nb位。
 

3、 采用800nm光激發(fā),測試了晶體的上轉(zhuǎn)換發(fā)光譜及上轉(zhuǎn)換時間分辨光譜。重點分析了Dy3+和Er3+摻雜濃度對580nm和550nm處發(fā)光峰強度的影響,其中Er3+的摻入使對應(yīng)Dy3+的4F9/26H13/2躍遷的580nm上轉(zhuǎn)換發(fā)射強度增加一倍,但對Dy3+的4F9/2能級壽命沒有影響。而Dy3+的摻入對Er3+的4S3/24I15/2躍遷的550nm發(fā)光強度和壽命均有影響,說明Dy3+離子的一些能級參與到Er3+離子550nm發(fā)光的過

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預覽,若沒有圖紙預覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護處理,對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內(nèi)容負責。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當內(nèi)容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準確性、安全性和完整性, 同時也不承擔用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

最新文檔

評論

0/150

提交評論