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文檔簡介
1、本文利用磁控濺射技術(shù)制備了Al薄膜和CuO薄膜，研究了濺射壓強和濺射功率對膜沉積速率及膜質(zhì)量的影響，用掃描電子顯微鏡(SEM)、原子力顯微鏡(AFM)、能譜分析(EDS)和X-射線衍射儀(XRD)對薄膜的表面形貌、成分和晶相結(jié)構(gòu)進行了表征。結(jié)果表明：Al、CuO膜的沉積速率隨著濺射功率的增大先幾乎呈線性增大而后緩慢增大；隨著濺射氣壓的增加，沉積速率先增大，在一定氣壓時達到峰值后繼續(xù)隨氣壓的增大而減小。X射線衍射圖譜表明Al、CuO膜結(jié)構(gòu)
2、為多晶態(tài)；用掃描電子顯微鏡對薄膜進行表面形貌的觀察，濺射功率為150W，濺射氣壓為0.4Pa時制備的Al膜較均勻致密，濺射功率為206W，濺射氣壓為0.4Pa時制備的CuO膜表面較平整，EDS譜圖表明膜成分較純，雜質(zhì)元素較少。實驗得出Al膜的最佳制備工藝條件：濺射氣壓為0.4Pa，濺射功率為150W。CuO膜的最佳制備工藝條件：濺射氣壓為0.4Pa，濺射功率為206W。 利用原子發(fā)射雙譜線法對最佳工藝條件下制備的Al橋、Al-C
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