基于量子點復合材料的制備及其在白光LED中的應用.pdf

1、半導體熒光量子點是一種新型的無機納米材料，以其獨特的帶隙可調(diào)性能得到了人們廣泛的關注，在太陽能電池、發(fā)光二極管和生物標記等領域顯示出重要的學術價值和可觀的應用前景。本文基于量子點在白光LED方面的應用，成功合成了黃綠光CuInS2/ZnS量子點和紅光CuInSe2/ZnS量子點，并詳細探究了CuInSe2量子點的形成機理和發(fā)光機制。為了解決硅樹脂與量子點在制備復合材料時的固化問題，并改善量子點在硅樹脂中的分散情況，本文采用原位合成的方法

2、制備復合材料，并通過加入帶巰基的表面改性劑來促進量子點的分散。此外，本文將利用量子點復合材料通過兩種方案來制備白光LED，具體研究內(nèi)容如下：
　?。?）黃綠光CuInS2/ZnS核殼量子點的制備。采用一鍋法成功制備了CuInS2/ZnS量子點，并研究了成核反應的溫度、包覆殼層時間對量子點發(fā)光峰波長和熒光量子產(chǎn)率的影響。最終確定的反應條件為：在200℃進行成核反應，ZnS殼層包覆過程持續(xù)240min，制備的CuInS2/ZnS核殼量

3、子點的發(fā)光峰波長為534nm，熒光量子產(chǎn)率能夠達到69.42％。
　?。?）紅光CuInSe2/ZnS核殼量子點的制備。采用熱注射法制備CuInSe2量子點，探究了油胺作為配位化合物對實驗的影響，進而提出了CuInSe2量子點的形成機理；通過合成不同銅銦比的量子點來探究組分對量子點結構和光學性能的影響，銅銦比為1/1的CuInSe2量子點包覆完ZnS后熒光量子產(chǎn)率能夠達到40.7%，發(fā)光峰波長為720nm，而銅銦比為1/2的CuI

4、nSe2量子點包覆完ZnS后熒光光譜會出現(xiàn)兩個發(fā)射峰；通過瞬態(tài)熒光光譜儀測量了CuInSe2量子點的熒光壽命，并詳細研究了它的發(fā)光機理。
　?。?）量子點復合材料的制備及其在白光LED中的應用。將制備的量子點預先與反應單體混合，采用原位合成的方法來制備硅樹脂，固化后制成量子點復合薄膜，并測試了該薄膜的透過率和熱穩(wěn)定性；在合成硅樹脂時通過加入(3-巰基丙基)三甲氧基硅烷來改善量子點的分散問題。將合成的黃綠光量子點復合材料用于封裝制備