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文檔簡介
1、因其加熱效率高、加熱機制清楚等優(yōu)點，中性束注入（Neutral Beam Injection）加熱被廣泛應(yīng)用于大中型磁約束受控核聚變裝置。HL-2M裝置是HL-2A裝置的改造升級裝置，其建造目的是研究未來聚變堆相關(guān)物理及其關(guān)鍵技術(shù)，研究高壓比、高參數(shù)的聚變等離子體物理，為下一步建造聚變堆打好基礎(chǔ)。
為了研究HL-2M裝置NBI加熱用的80kV/45A/5s熱陰極離子源束光學(xué)特性，本文利用現(xiàn)有的離子源測試平臺，設(shè)計并加工采用紅外
2、CCD成像技術(shù)的束光學(xué)診斷系統(tǒng)。并采用實驗研究的方法，掃描離子源的放電和引出參數(shù)，測量離子源引出粒子束轟擊量熱靶板產(chǎn)生的溫度分布。得到溫度分布后，利用matlab軟件進行高斯擬合，獲得了對應(yīng)參數(shù)下量熱靶上的束功率密度分布，得到束功率密度空間分布區(qū)間特征參數(shù)1/e半寬度。實驗結(jié)果表明，HL-2M裝置NBI加熱系統(tǒng)80kV/45A離子源可用的導(dǎo)流系數(shù)范圍為0.7微樸～1.5微樸。同樣導(dǎo)流系數(shù)下，梯度電極與等離子體電極的分壓比較高時，引出束流
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