

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文檔簡介
1、噴墨印制電子是一種通過噴印的方式,在不接觸基材的情況下,將功能墨水印制到不同基材上,通過一定的后續(xù)處理,制成電子產(chǎn)品的新興技術(shù)。在噴墨印制電子中,通過噴印而成具有導(dǎo)電性的薄膜稱為噴印導(dǎo)電膜。噴印導(dǎo)電膜是目前研究最廣泛、最具有應(yīng)用基礎(chǔ)的印制電子產(chǎn)品。在實(shí)際應(yīng)用中,噴印導(dǎo)電膜的導(dǎo)電性、柔性基底狀態(tài)下的抗彎曲性能、導(dǎo)電膜與基材的結(jié)合能力以及噴印導(dǎo)電膜的焊接性能決定著導(dǎo)電膜的應(yīng)用范圍,是制約印制電子發(fā)展的關(guān)鍵問題,也是目前國內(nèi)外研究的熱點(diǎn)和難點(diǎn)
2、。因此,開展對噴印導(dǎo)電膜的各項(xiàng)性能的研究對印制電子的發(fā)展有著重要的意義。
本文以醋酸銀為金屬前驅(qū)體、甲酸為還原劑、氨水作為溶劑,制備出無顆粒型銀導(dǎo)電墨水,通過利用改裝后的多功能平板噴墨打印機(jī),參考每層噴印時長和導(dǎo)電性能確定最佳噴印分辨率參數(shù),以柔性基材——耐高溫聚酯薄膜(Polyethylene terephthalate,PET)和普通電路板常用的硬質(zhì)基材——玻璃纖維板(Fiber Glass Board,F(xiàn)GB)為基底進(jìn)行
3、噴印,經(jīng)過后續(xù)處理,得到成膜性較好的樣本。
通過分析噴印墨水中納米銀顆粒的長大方式,解釋了墨水在燒結(jié)過程中因受定向吸附(Oriented attachment,OA)和Ostwald熟化(Ostwald Ripening,OR)長大機(jī)制的共同作用形成的表面形貌。這兩種機(jī)制的混合作用,使得顆粒之間排布更緊密,保證了噴印導(dǎo)電膜導(dǎo)電性。通過對噴印層數(shù)的研究發(fā)現(xiàn),當(dāng)噴印到11層時,墨滴在基底分布均勻、排布緊密,此時導(dǎo)電膜的導(dǎo)電性也較為
4、穩(wěn)定。對燒結(jié)工藝的研究發(fā)現(xiàn),當(dāng)燒結(jié)固化溫度為90℃、保溫時長為15min時,噴印導(dǎo)電膜的電阻率可以低至4.1μΩ·cm,約為塊狀銀的2.5倍,繼續(xù)升高燒結(jié)溫度和延長保溫時間,電阻率變化不太明顯?;诒WC低電阻率的前提下,考慮到適用基材所能承受的溫度范圍,最終把90℃的燒結(jié)溫度,15min保溫時間定為柔性導(dǎo)電膜最佳燒結(jié)工藝參數(shù)。
以柔性基材PET薄膜為基底,對噴印11層,燒結(jié)溫度為90℃,保溫15min后的噴印導(dǎo)電膜能承受的極限
5、曲率半徑以及導(dǎo)電膜與PET薄膜基底之間的結(jié)合強(qiáng)度進(jìn)行計(jì)算,發(fā)現(xiàn)導(dǎo)電膜彎曲頂點(diǎn)處的曲率半徑低至1.5mm時,噴印導(dǎo)電膜電阻開始發(fā)生變化,當(dāng)曲率半徑低至0.5mm時,噴印導(dǎo)電膜中納米銀層徹底斷裂。此外,對裂紋擴(kuò)展及斷裂形式進(jìn)行了分析,發(fā)現(xiàn)裂紋萌生于墨滴間隙處,沿墨滴輪廓進(jìn)行蔓延,直至貫穿整個導(dǎo)電膜,導(dǎo)電膜的斷裂方式為韌性斷裂。導(dǎo)電膜與 PET薄膜基底剝離時的剪切強(qiáng)度平均為0.624MPa,拉伸強(qiáng)度平均為0.15MPa,從斷口形貌分析發(fā)現(xiàn),絕
6、大部分?jǐn)嗝姘l(fā)生在PET薄膜與納米銀導(dǎo)電膜之間,只有在拉伸過程中少數(shù)斷面會發(fā)生在導(dǎo)電膜內(nèi)部。以硬制基材FGB為基底,對噴印11層,燒結(jié)溫度為90℃,保溫15min的噴印導(dǎo)電膜以錫基釬料作為焊膏進(jìn)行焊接性實(shí)驗(yàn),探究焊接過程中的冶金產(chǎn)物以及金屬間化合物層(Intermetallic compound,IMC)生長過程。研究發(fā)現(xiàn),由于納米銀導(dǎo)電膜的孔隙密度和比表面積較大,與錫基釬料的反應(yīng)非常迅速,在225℃,保溫5min時,反應(yīng)界面就能生成良好
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