高功率微波作用下的低噪聲放大器的損壞機(jī)理及其防護(hù)研究.pdf

1、高功率微波是上個(gè)世紀(jì)60年代在美國(guó)的一次高空核爆中首次發(fā)現(xiàn)的強(qiáng)電磁脈沖，高功率微波的特點(diǎn)是其峰值功率非常高（大于100MW），中心頻率很高（1GHz-300GHz）、脈沖寬度短（幾十納秒）。
　　低噪聲放大器是射頻系統(tǒng)的核心模塊之一，低噪聲放大器是具有低噪聲指數(shù)和高信號(hào)靈敏度的元件，被廣泛應(yīng)用在通信系統(tǒng)、電視系統(tǒng)、移動(dòng)通信系統(tǒng)、雷達(dá)系統(tǒng)、微波遙感系統(tǒng)、導(dǎo)航系統(tǒng)、無(wú)線電系統(tǒng)和其他電子系統(tǒng)。同時(shí)，由于低噪聲放大器處于接收鏈路中天線后的

2、第一級(jí)，如果不做防護(hù)措施會(huì)極易受到高功率微波輻射而引起損傷，導(dǎo)致整個(gè)通信系統(tǒng)癱瘓，所以對(duì)高功率微波對(duì)低噪聲放大器等半導(dǎo)體器件的損傷效應(yīng)的分析研究和防護(hù)電路的設(shè)計(jì)具有很大的實(shí)際意義。
　　本文首先詳細(xì)闡述了高功率微波的研究背景與意義以及國(guó)內(nèi)外對(duì)高功率微波的研究發(fā)展現(xiàn)狀，然后從理論上分析了高功率微波對(duì)功率半導(dǎo)體器件的擊穿機(jī)理進(jìn)行較詳細(xì)的研究和分析，然后介紹了高功率微波注入實(shí)驗(yàn)平臺(tái)的搭建以及介紹實(shí)驗(yàn)方案，對(duì)高功率微波對(duì)低噪聲放大器的損毀