小型化低相位噪聲取樣鎖相SIW振蕩器.pdf

1、現(xiàn)代雷達和導引系統(tǒng)要求發(fā)射信號具有低相位噪聲和高頻率穩(wěn)定度，這對本振信號源的技術指標和小型化提出了極高要求。隨著晶體振蕩器技術的高速發(fā)展，現(xiàn)在我們很容易獲得頻率穩(wěn)定度極高、相位噪聲優(yōu)異、雜散電平良好的參考頻率源。但如何簡潔、高效、穩(wěn)定的利用這些參考源設計微波鎖相振蕩源則是微波電路設計中面臨的挑戰(zhàn)。
　　傳統(tǒng)鎖相源(PLL)通常采用數(shù)字鎖相環(huán)、倍頻鏈、取樣鎖相DRO等較成熟的電路形式來實現(xiàn)對參考源的跟蹤和擴展。數(shù)字鎖相環(huán)電路簡化好集

2、成，但性能不夠好;倍頻鏈近端相噪好，但集成度低、底噪高;模擬取樣鎖相DRO能夠性能最好，但是由于DRO電路和取樣環(huán)路較復雜很難小型化。
　　本論文對傳統(tǒng)取樣方案進行改進，采用集成度更高的基片集成波導壓控振蕩器(SIWVCO)代替介質壓控振蕩器(DRVCO)，并結合多層PCB工藝和MCM技術減小取樣環(huán)路尺寸。論文首先討論了SIWVCO設計原理和電路形式，采用電路模型仿真結合電磁場仿真的方案對SIWVCO電路進行仿真和優(yōu)化，設計的SI