氯化鈉及氟化鈣摻雜鈮酸鋰晶體的生長與光折變性能研究.pdf

1、鈮酸鋰晶體是一種被廣泛使用的人工晶體，具有良好的電光、聲光、壓電和光折變等特性，尤其是實施不同摻雜后能呈現(xiàn)出多種特殊性能，被譽為“光學硅”。現(xiàn)階段報道的鈮酸鋰摻雜工程，基本是金屬離子摻雜為主，雜質在晶格中位于鈮位或鋰位，少有非金屬元素摻雜?；诖耍菊撐奶岢?，如果摻雜離子是非金屬元素，那么其在鈮酸鋰晶體中是否會占據(jù)氧位，從而形成新的缺陷，表現(xiàn)出不同的的性能？本文選用氯化鈉和氟化鈣作為摻雜物質，研究其對晶體性能的影響。
　　第一章，

2、簡介了鈮酸鋰晶體的基本情況，并介紹了鈮酸鋰晶體的各種摻雜。
　　第二章，介紹了提拉法生長晶體的工藝，并成功生長了一些列氯化鈉摻雜鈮酸鋰晶體和氟化鈣摻雜鈮酸鋰晶體。
　　第三章，研究了氯化鈉摻雜鈮酸鋰晶體的光折變性能。通過全息存儲實驗，我們發(fā)現(xiàn)在532 nm激光下，氯化鈉摻雜鈮酸鋰晶體的衍射效率可以達到14.21％，響應時間為27.9 s，在488 nm光下，衍射效率可以達到16.76%，響應時間為14.1 s，全息性能比同成

3、分晶體優(yōu)秀；通過光斑畸變實驗，我們發(fā)現(xiàn)在532 nm激光下，摻雜氯化鈉的晶體抗光損傷閾值為102 W/cm2量級。
　　第四章，研究了氟化鈣摻雜鈮酸鋰晶體的光折變性能。通過全息存儲實驗，我們發(fā)現(xiàn)在488 nm激光照射下，氟化鈣摻雜鈮酸鋰晶體的衍射效率可以達到6.48%，響應時間為100 s左右；通過光斑畸變測量，我們研究了氟化鈣摻雜鈮酸鋰晶體的抗光損傷性能，在532 nm光下其抗光損傷閾值為102 W/cm2量級。
　　第五