聚3,4-乙撐二氧噻吩基復合膜修飾電極的制備及其應用研究.pdf

1、本論文以電化學方法為主要研究手段，制備導電聚合物聚3，4-乙撐二氧噻吩(PEDOT)基復合材料修飾碳糊電極，并將其應用于幾種小分子的電化學研究，從而構造了相關分子的電化學分析方法。通過化學氧化法或電聚合法制備了PEDOT/碳納米管(CNT)、PEDOT/DNA、PEDOT/聚苯乙烯磺酸鹽(PSS)三種聚3，4-乙撐二氧噻吩基復合材料并將其修飾于電極表面;制得的材料和修飾電極用掃描電子顯微鏡(SEM)、交流阻抗(EIS)、循環(huán)伏安(CV)

2、、差分脈沖伏安(DPV)、計時電流(i-t)等分析方法進行表征和分析;然后對幾種小分子在所制備的修飾電極上進行了電極的行為、系統(tǒng)條件的分析、實際樣品的分析驗證以及干擾實驗等研究。主要內容簡述如下:
　　(1)利用FeCl3化學氧化法快速合成PEDOT/CNT納米復合物，并用SEM對其進行表征。循環(huán)伏安實驗的結果表明:PEDOT/CNT復合物修飾的碳糊電極對氫醌(HQ)的氧化和硝基苯(NB）還原都具有很好的電催化活性。DPV結果表明

3、PEDOT/CNT修飾電極對HQ響應迅速，線性范圍是1.1-125μM，檢測限為0.3μM。安培測量結果表明NB在該修飾電極上的線性范圍為0.25-43μM，檢測限為83nM。另外，該修飾電極在多種干擾物質存在的環(huán)境中，仍然對HQ和NB都具有很好的選擇性，在兩者的實際樣品的檢測中也具有很好的結果。
　　(2)采用簡單的一步電化學方法制備PEDOT/CNT和PEDOT/PSS納米復合材料，樣品的形貌用SEM表征。采用循環(huán)伏安法評價P

4、EDOT/CNT修飾電極對多巴胺的電化學性能。結果表明:與裸碳糊電極、CNT修飾電極和PEDOT/PSS修飾電極相比，PEDOT/CNT修飾電極對多巴胺(DA)具有很高的電催化活性。在最佳條件下，DPV測量結果表明DA的檢測限為0.04μM，線性范圍是0.1-25μM，并且在含有高濃度的抗壞血酸(AA)的環(huán)境下該修飾電極對多巴胺具有良好的選擇性和極高的靈敏性。
　　(3)采用電化學方法制備納米復合材料PEDOT和DNA，并將其用于