TiO2和ZrO2柔性阻變器件的深紫外光化學制備及其性能研究.pdf

1、阻變隨機存儲器（RRAM）具有結構簡單、擦寫速度快、功耗低、集成度髙、與傳統(tǒng)半導體工藝的兼容性好等優(yōu)點，得到人們的廣泛關注。隨著柔性電子技術的迅速發(fā)展，對柔性阻變存儲器的研究也引起了人們的重視。因為大多數柔性基板不能經受較高的退火溫度，因此采用低溫加工的方法必將在柔性器件領域具有重要應用前景。本研究圍繞這一問題展開，采用獨特的深紫外輻照技術，對TiO2和ZrO2兩種常用的阻變薄膜的低溫制備及器件性能進行了研究。
　　本論文中主要通

2、過改變工藝參數、彎曲半徑和彎曲次數對TiO2和ZrO2柔性阻變存儲器的電流-電壓（I-V）曲線、高阻態(tài)和低阻態(tài)的導電機制、保持特性和循環(huán)特性進行了研究。同時，研究了TiO2和ZrO2薄膜的微細加工以及微細圖形化柔性阻變存儲器的電學特性。獲得的結果如下：
　?。?）150℃，3h的深紫外輻照條件下可以獲得雙極電阻轉變的Pt/TiO2/ITO器件，器件的開關比為103，室溫下的保持時間超過104s，循環(huán)次數超過600次，器件在低阻態(tài)的

3、導電機制為歐姆傳導，在高阻態(tài)的導電機制為空間電荷限制電流（SCLC）效應；
　?。?）在150℃下深紫外輻照3h，獲得雙極電阻轉變的Pt/TiO2/ITO/PET器件，開關比為103，不同彎曲半徑和彎曲次數下器件的保持特性和循環(huán)特性無明顯衰退；
　?。?）150℃下深紫外輻照3h可制備出具有雙極電阻轉變特性的Pt/ZrO2/ITO/PET器件，開關比為105，當器件的彎曲半徑為12.55mm時，器件的循環(huán)性能明顯變差；