電結(jié)晶制備納米多層膜及性能研究.pdf

1、納米材料是近年發(fā)展起來的一種新型材料。納米多層膜作為納米結(jié)構(gòu)材料的一種，因其調(diào)制波長為納米尺寸，所以具有一些不同于常規(guī)材料的性能。隨著信息技術(shù)的發(fā)展，對(duì)高密度、高穩(wěn)定性的記錄介質(zhì)材料的需求日益迫切。因此，Co/Cu、Co/Pd等多層膜的制備成為材料、物理等領(lǐng)域的熱門研究課題。本文采用與傳統(tǒng)的物理氣相沉積法不同的電化學(xué)結(jié)晶法制備納米多層膜。 采用了不同的處理方法對(duì)單晶Si(111)表面進(jìn)行刻蝕；在單晶硅表面成功制得了Co/Cu、C

2、o/Pd多層膜，確定了電結(jié)晶制備 Co/Cu、Co/Pd納米多層膜的工藝條件；并利用掃描電鏡(SEM)觀察了多層膜的表面、斷面形貌。結(jié)果表明：Cu膜、Co膜和Pd膜表面細(xì)致均勻；Co/Cu、Co/Pd多層膜斷面層狀結(jié)構(gòu)清晰連續(xù)，各子層厚度均勻。 在納米多層膜的制備中加入自行配制的鍍銅添加劑。循環(huán)伏安和石英晶體微天平測(cè)試均表明了添加劑的加入阻化了Cu的電沉積，改善了鍍層的質(zhì)量；用物性測(cè)量系統(tǒng)(PPMS)測(cè)試了Co/Cu多層膜的磁性

3、能。結(jié)果表明：添加劑的加入能大大提高多層膜的GMR性能。 X-衍射分析表明Co/Pd多層膜中形成了Co-Pd(111)的合金峰。通過石英晶體微天平精確測(cè)量了沉積過程中鍍層的質(zhì)量，研究了不同的Co層厚度對(duì)多層膜性能的影響。用物性測(cè)量系統(tǒng)測(cè)試了Co/Pd多層膜的磁滯回線。結(jié)果表明：隨著Co層厚度的減小，多層膜的矯頑力增加，而多層膜的剩磁比與Co層厚度無關(guān)。在單晶硅上采用In<,2>O<,3>底襯層，所制得Co/Pd多層膜的矯頑力高達(dá)