典型半導體材料的第一性原理研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、本論文工作重點討論了超軟贗勢平面波方法在典型半導體材料研究中的應用.本論文主要進行了以下三個方面的研究工作:1、用基于密度泛函理論的平面波贗勢方法,計算了在各向同性壓力下閃鋅礦結構(ZB)和巖鹽結構(RS)的BN、BP和BAs的電子結構和總能.2、運用密度泛函理論的平面波贗勢方法(PWP),加廣義梯度近似(GGA)和局域密度近似(LDA),對BN、A1N和GaN三種氮的化合物的總能和電子結構進行了計算,得到它們的彈性常數(shù)和體模量以及平衡

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