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文檔簡介
1、本文對垂直外腔面發(fā)射半導體激光器進行了研究。文章簡述了VECSEL的優(yōu)點、應用及VECSEL的研究歷史及現(xiàn)狀。從高功率輸出、倍頻光輸出和鎖模輸出三個方向?qū)ECSEL的研究現(xiàn)狀進行了概括；介紹了量子阱激光器的發(fā)光原理，研究了VECSEL增益結(jié)構(gòu)的設計，包括分布式布拉格反射鏡(DBR)、量子阱增益區(qū)、微腔結(jié)構(gòu)及熱處理方法等；介紹了半導體可飽和吸收鏡(SESANM)的特性及用于VECSEL鎖模的SESAM類型。通過對SESAM宏觀特性對鎖模
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