離子注入AlGaInAs材料誘發(fā)界面混合的實(shí)驗(yàn)和計(jì)算機(jī)模擬研究.pdf_第1頁(yè)
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1、在這里我們主要研究AlGaInAs異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料,它主要被用于長(zhǎng)波長(zhǎng)(980nm~1550nm)的通訊領(lǐng)域,而在這個(gè)領(lǐng)域,以前常用的是AlGaInP材料,AlGaInAs相對(duì)前者而言具有穩(wěn)定性良好,作成的激光二極管不需要主動(dòng)式散熱板等優(yōu)勢(shì).雙異質(zhì)結(jié)發(fā)光材料一般采用p-i-n結(jié)構(gòu),載流子的約束是由能帶的躍遷和摻雜引起的能帶的位移形成的.為了提供有效的載流子約束,發(fā)光層要有適當(dāng)?shù)膿诫s.常規(guī)擴(kuò)散方法很難達(dá)到理想的效果,離子注入技術(shù)可以很容易地控

2、制材料損傷的濃度和深度分布,因而是一種有效界面無(wú)序混合手段.離子注入引入的界面無(wú)序混合(簡(jiǎn)稱IILD)已被用于制備其他Ⅲ-Ⅴ族化合物材料的發(fā)光器件和一維量子線異質(zhì)結(jié).因此我們用模擬離子在晶體材料中輸運(yùn)過(guò)程的程序?qū)﹄x子注入AlGaInAs材料時(shí)所發(fā)生的各種現(xiàn)象進(jìn)行了模擬,得到了一些有益的結(jié)果.本論文研究的對(duì)象就是用金屬化學(xué)氣相淀積(MOCVD)技術(shù)生長(zhǎng)的AlGaInAs/GaAs量子異質(zhì)結(jié)進(jìn)行了離子注入方面的試驗(yàn),并且對(duì)AlGaInAs材

3、料進(jìn)行了一些計(jì)算機(jī)模擬方面的研究.本論文主要進(jìn)行了以下工作:一、介紹了半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)的物理性質(zhì),外延生長(zhǎng)技術(shù),外延生長(zhǎng)異質(zhì)結(jié)的幾種質(zhì)量表征方法以及量子異質(zhì)結(jié)的界面混合在器件上的一些應(yīng)用;二、介紹了界面增強(qiáng)擴(kuò)散的幾種典型機(jī)制.并對(duì)瞬態(tài)增強(qiáng)擴(kuò)散模型做出一些分析與討論,并介紹了幾種試驗(yàn)界面增強(qiáng)擴(kuò)散的的主要方法;對(duì)離子注入后的InGaAs/GaAs異質(zhì)結(jié)中的應(yīng)力和界面混合進(jìn)行了分析和評(píng)價(jià).三、簡(jiǎn)要介紹了有關(guān)離子與固體相互作用的理論,.給出了一種原

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