keV電子致Al的K殼層電離截面和Se的L殼層X射線產(chǎn)生截面的測量研究.pdf

1、正負(fù)電子致原子內(nèi)殼層電離截面的測量研究作為原子物理學(xué)中的一項(xiàng)基礎(chǔ)研究，在理論研究和實(shí)際應(yīng)用領(lǐng)域，都具有十分重要的意義。一方面，精確的正負(fù)電子致原子內(nèi)殼層電離截面有助于正確的理解正負(fù)電子與物質(zhì)原子的相互作用機(jī)制，促進(jìn)理論模型的發(fā)展和完善。另一方面，正負(fù)電子致原子內(nèi)殼層電離截面數(shù)據(jù)在諸多實(shí)際應(yīng)用中不可缺少。雖然關(guān)于截面測量的研究一直在持續(xù)，但是截止目前，電子致原子內(nèi)殼層電離截面實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)依然缺乏，如Se的L殼層。此外，對于最新發(fā)展的DWBA理

2、論，存在著不同研究者給出的實(shí)驗(yàn)結(jié)果與理論模型存在顯著差異的現(xiàn)象。因此，這一研究領(lǐng)域仍然需要進(jìn)行深入的實(shí)驗(yàn)研究。
　　本文研究了keV能量的電子致Al的K殼層電離截面和Se的總L殼層特征X射線產(chǎn)生截面的測量研究。內(nèi)容包括：⑴測量了2.5keV～20keV的入射電子致單原子碳層Al靶和薄膜厚碳襯Al靶的的K殼層電離截面，以檢驗(yàn)單原子碳層靶用于電子致原子內(nèi)殼層電離截面的實(shí)驗(yàn)研究的可靠性。⑵使用7.8nm厚的Se薄膜鍍在約2 mm厚的碳襯

3、底作為靶樣品，測量了3.5keV～30keV的入射電子致Se的總L殼層X射線產(chǎn)生截面。⑵考慮到厚襯底對實(shí)驗(yàn)結(jié)果的影響，本文使用基于蒙特卡羅方法的PENELOPE程序模擬實(shí)驗(yàn)過程，以厚襯底對實(shí)驗(yàn)測量值的修正因子。實(shí)驗(yàn)結(jié)果發(fā)現(xiàn)，單原子碳層靶可以用于電子致原子內(nèi)殼層電離截面的實(shí)驗(yàn)研究。在誤差范圍內(nèi)，DWBA理論值與本文Al的K殼層電離截面的測量值及他人已發(fā)表的實(shí)驗(yàn)結(jié)果符合較好，DWBA理論值與Se的總L殼層X射線產(chǎn)生截面實(shí)驗(yàn)結(jié)果也符合較好，D