SCB點火技術中等離子體的電子密度的測量.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、本論文對半導體橋(SCB)點火技術中等離子體的電子密度，進行了深入系統(tǒng)的研究，采用三個不同的測試方法，分別測量了SCB等離子體的電子密度，并討論了測試環(huán)境對測定結果的影響。具體研究如下： (1)利用Acton Spectrapro．2750型雙光柵光譜儀，在局部熱力學平衡條件下，用Al I 394.40nm譜線Stark展寬法，測量了SCB等離子體的電子密度，電子密度的變化范圍為4.32×10<'16>cm<'-3>-0.89×

2、10<'16>cm<'-3>，并得到了電子密度隨時間的變化規(guī)律； (2)利用Saha方程法理論，根據在SCB等離子體發(fā)射光譜研究中發(fā)現的譜線Si I 390.55nm和Si Ⅱ 413.09nm，設計并完成了Saha方程法測量系統(tǒng)。系統(tǒng)的時間分辨率達到0.1μs，解決了國內現有的多通道光學分析儀(OMA)測量SCB等離子體的電子密度時，時間分辨率不夠的問題； (3)利用Saha方程法測量系統(tǒng)，在不同的能量輸入下，對兩種不

3、同的SCB(陶瓷塞和塑料塞)產生的等離子體的電子密度，進行了測試和討論。該系統(tǒng)測量的電子密度與A1 I 394.40nm譜線Stark展寬法的結果在同一數量級上，均為10<'15>cm-10<'16>cm<'-3>，并且變化規(guī)律相同，實現了兩種測量方法的相互驗證； (4)在不同能量輸入下，利用壓力傳感器(CY-YD-205)測量了陶瓷塞SCB在一定體積密閉容器內產生的壓力；推導了適合SCB等離子體的壓力方程，并建立了壓力和電子密

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