隨機橫向單軸與雙軸晶場Ising模型的臨界性質和磁化.pdf

1、本文在有效場理論和切斷近似框架內，研究自旋S=1的隨機橫向單軸與雙軸晶場Ising模型的臨界性質和磁化。 首先分別選擇二維方格子及三維簡立方格子，研究橫向隨機晶場：Ising模型的相圖和磁化行為，重點是橫向隨機晶場濃度和晶場比率對相圖和磁化的影響。給出了T-D<,x>空間的相圖和m-T空間的磁化圖。在晶場稀疏情況下，負晶場方向存在臨界溫度的峰值，正方向可出現重入現象。晶場比率取+0.5和-0.5時，磁有序相范圍縮小，特別是晶場比

2、率取-0.5時，隨晶場濃度的降低，臨界溫度峰值從橫向晶場負方向渡越到正方向。固定某一負晶場值，不同晶場比率的磁化行為有明顯差異。同時高溫和低溫下的磁化也存在許多差異。 其次，研究了對于簡立方晶格，縱向及橫向雙軸晶場Ising模型的臨界性質。僅稀疏橫向晶場時，討論了T-D<,x>和T-D<,z>空間的三臨界點和它的軌跡。在T-D<,x>空間內發(fā)現了兩個三臨界點的新現象。一條二級相變線存在于兩條一級相變線之間，由兩個三臨界點隔開。稀

3、疏濃度的變化導致了三臨界點軌跡的一個復雜的關聯。改變縱向晶場，基態(tài)出現簡并。在T-D<,z>空間內，隨著橫向晶場濃度的降低，標正(負)D<,x>/J值的相變線的有序相范圍變大(小)。同時在T-D，空間同時稀疏時縱向晶場和橫向晶場，發(fā)現當橫向晶場濃度減小時，三臨界點能夠存在的縱向晶場濃度范圍也將減小。在此情況下，正負方向橫向晶場作用下系統(tǒng)的臨界行為有所不同：當橫向晶場取正方向時，在一定縱向晶場稀疏濃度范圍內出現雙三臨界點；而橫向晶場取負方