基于M EMS的高場(chǎng)非對(duì)稱離子遷移譜的研究.pdf

1、高場(chǎng)非對(duì)稱離子遷移譜檢測(cè)技術(shù)及相應(yīng)儀器的誕生于上世紀(jì)20世紀(jì)70年代，自其誕生以來(lái)已經(jīng)逐漸成為各個(gè)痕量分子檢測(cè)和分析領(lǐng)域的主要檢測(cè)和分析方法之一。由于其常壓工作環(huán)境、快速檢測(cè)、高靈敏度和低功耗的特點(diǎn)，離子遷移譜技術(shù)尤其適用于實(shí)地便攜式檢測(cè)和各類(lèi)在線實(shí)時(shí)分析檢測(cè)場(chǎng)合，在爆炸物、化學(xué)戰(zhàn)劑、毒品、化工、環(huán)境監(jiān)測(cè)、食品安全、生物醫(yī)療等等對(duì)檢測(cè)線、檢測(cè)速度和檢測(cè)通量性要求較高的領(lǐng)域，離子遷移譜技術(shù)成為主要檢測(cè)手段之一。
　　本課題主要是研究

2、基于 MEMS工藝的高場(chǎng)非對(duì)稱離子遷移譜，主要研究?jī)?nèi)容包括從結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，電氣設(shè)計(jì)和芯片設(shè)計(jì)三個(gè)方面對(duì)FAIMS的系統(tǒng)組成進(jìn)行較為詳細(xì)的介紹。芯片設(shè)計(jì)主要介紹兩種芯片制造工藝，基于硅刻蝕的工藝以及基于LIGA工藝；電氣設(shè)計(jì)主要包括高頻高壓非對(duì)稱的射頻電場(chǎng)，補(bǔ)償電壓發(fā)生電路，微流檢測(cè)電路，環(huán)境檢測(cè)電路，整機(jī)控制和通訊控制電路等；結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)主要包括前端進(jìn)樣、過(guò)濾、電離、分離檢測(cè)等結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)。同時(shí)，基于搭建的測(cè)試品臺(tái)，探究高氣壓對(duì)FAIMS性能的影響