高密度電阻率法模型正演與實驗對比.pdf

1、高密度電阻率法屬于直流電阻率法的范疇，是在常規(guī)電法勘探基礎上發(fā)展起來的一種勘探方法。高密度電阻率法采取較密集的測點以及多種裝置的組合同時測量，可提供豐富的地電信息，有利于數據資料的處理與解釋。電阻率成像技術是利用采集的視電阻率數據資料，進行正反演成像研究的一種技術。在本論文里高密度電法微觀系統(tǒng)采集的視電阻率數據是利用電阻率成像技術成像。
　　 對于電阻率成像技術的研究和應用,前人已做了大量的工作。本文總結了前人關于電阻率成像技術

2、的概念、研究歷史及研究成果，在此基礎上，以電阻率成像技術二維正演為手段，對理論模型進行正演數值模擬研究，得到模型的視電阻率數據。然后在實驗室對理論模型通過高密度電法微觀系統(tǒng)進行物理模擬，得到視電阻率。數值模擬和物理模擬得到的視電阻率數據利用電阻率成像技術得到視電阻率成像色譜圖，然后進行對比分析，給出了以下結論：
　　 1、溫納裝置、偶極裝置、微分裝置在實測中分別在反映高、低組水平產狀體和高阻直立產狀體相對正演模型下移了總層數20

3、％，所以在實際的資料解釋或處理時可以適當減小異常區(qū)域在圖中的最大勘探深度20％；在反映低阻直立產狀體相對正演模型上移了總層數30％，所以在資料解釋時相反可以加大最大勘探深度30％。
　　 2、溫納裝置、偶極裝置、微分裝置在實測中在反映水平產狀體時相對正演模型異常區(qū)域在縱向上有所拉伸，所以在實際的資料解釋或處理時可以適當減小異常區(qū)域在圖中的厚度；而在反映直立產狀體時異常區(qū)域在橫向拉伸，在實際的資料解釋或處理時可以適當減小異常區(qū)域在