摻雜膠體量子點(diǎn)的合成和熒光特性的研究.pdf

1、本文的研究?jī)?nèi)容分為四個(gè)部分：第一部分用膠體法合成CdSe、CdTe量子點(diǎn)，并研究其光學(xué)性質(zhì)；第二部分：用膠體法合成ZnSe:Mn2+摻雜量子點(diǎn)并研究其光學(xué)性質(zhì)，并嘗試CdSe:Mn2+摻雜量子點(diǎn)的制備。第三部分：用膠體法合成CdSe/CdS核殼結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)和CdSe/Cd0.5Zn0.5oSe/ZnSe/ZnS核復(fù)合殼結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)，并對(duì)其微觀結(jié)構(gòu)和發(fā)光動(dòng)力學(xué)性質(zhì)進(jìn)行了研究；第四部分：探索在CdSe/ZnSe核殼結(jié)構(gòu)膠體量子點(diǎn)中摻雜Mn2+.

2、
　　 首先，通過(guò)優(yōu)化反應(yīng)溫度和優(yōu)選表面活性劑，用膠體法合成了優(yōu)良的CdSe量子點(diǎn)。TEM圖像表明合成的量子點(diǎn)具有均一的顆粒分布，光學(xué)測(cè)量結(jié)果表明其具有良好的光學(xué)特性。采用類似的方法制備出了光學(xué)性質(zhì)良好的CdTe量子點(diǎn)。這些量子點(diǎn)能被用來(lái)制備核殼結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)和一些電光器件。
　　 然后，采用膠體法合成了ZnSe:Mn2+摻雜量子點(diǎn)，通過(guò)光吸收譜和發(fā)光譜的測(cè)量，發(fā)現(xiàn)隨著鋅前驅(qū)體在MnSe核上的增加，ZnSe:Mn2+摻雜量子

3、點(diǎn)的光致發(fā)光量子產(chǎn)率逐步增強(qiáng)。另外，嘗試了Mn2+摻雜CdSe膠體量子點(diǎn)的制備，并進(jìn)行了光學(xué)特性的表征。
　　 進(jìn)而，采用膠體法合成了CdSe/CdS核殼結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)和CdSe/Cd0.5Zn0.5Se/ZnSe/ZnS核復(fù)合殼結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)。CdSe/CdS核殼結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)的吸收譜、發(fā)光譜以及光致發(fā)光壽命測(cè)量結(jié)果表明，隨著包層厚度的增加，吸收蜂和發(fā)光峰發(fā)生了紅移，同時(shí)光致發(fā)光量子產(chǎn)率慢慢增大，光致發(fā)光壽命呈減少的趨勢(shì)。此外，還測(cè)量了變

4、溫條件下的光學(xué)特性。隨著溫度的升高，發(fā)光峰發(fā)生紅移、發(fā)光強(qiáng)度降低、光致發(fā)光壽命先增大后減小。XRD譜表明CdSe/Cd0.5Zn0.5Se/ZnSe/ZnS核復(fù)合殼結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)的衍射圖樣與相應(yīng)的CdSe核相比沒(méi)有顯著變化，只是隨著包層厚度的增加，稍稍移向大角度，這證實(shí)了核殼結(jié)構(gòu)的實(shí)現(xiàn)。但是隨著包層厚度的增加，CdSe核將受到來(lái)源于ZnSe和ZnS殼層的應(yīng)力慢慢變大，Raman譜也說(shuō)明了這一點(diǎn)。TEM圖像表明合成的量子點(diǎn)具有均一的顆粒分布。