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文檔簡介
1、光學(xué)薄膜廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體器件、光電顯示、光通信等領(lǐng)域。由于薄膜鍍制過程中,經(jīng)歷了固相.氣相.固相的變化過程,使得光學(xué)薄膜中普遍存在一定的應(yīng)力,應(yīng)力的存在不僅影響薄膜一基板系統(tǒng)的牢固性,還會引起基板發(fā)生形變,從而使膜系偏離中心波長。因此,研究薄膜的應(yīng)力行為,限制薄膜應(yīng)力的影響,對提高光學(xué)薄膜的性能有重要意義。 在薄膜的鍍制過程中由于晶格失配、熱膨脹系數(shù)失配、薄膜在沉積過程中分子之間的相互作用以及薄膜內(nèi)部存在著各種宏觀缺陷,從而使薄
2、膜基板系統(tǒng)中存在著應(yīng)力。微電子及光電子器件的使用壽命與薄膜應(yīng)力有很大關(guān)系。 為了研究應(yīng)力對薄膜器件的牢固性的影響,本文進(jìn)行了深入的研究工作。 本文首次利用有限元分析軟件ANSYS研究了在熱應(yīng)力起主要作用的薄膜系統(tǒng)中,力矩理論在分析薄膜系統(tǒng)牢固性方面的應(yīng)用。研究發(fā)現(xiàn):力矩均為負(fù)值時,在薄膜層與層之間的界面處,自由邊界附近受到最大的張應(yīng)力,靠近中心張應(yīng)力減小,直至變?yōu)閴簯?yīng)力,這種薄膜系統(tǒng)發(fā)生分層破裂的概率很大。只要有負(fù)值的力
3、矩存在,薄膜系統(tǒng)就可能分層破裂,并且力矩為負(fù)的層數(shù)越多,薄膜系統(tǒng)發(fā)生分層破裂的概率就越大;力矩均為正值時,在薄膜層與層之間的界面處,自由邊界附近受到最大的壓應(yīng)力,靠近中心壓應(yīng)力減小,直至變?yōu)閺垜?yīng)力,這種薄膜系統(tǒng)發(fā)生分層破裂的概率很小。這些結(jié)論對實(shí)際薄膜系統(tǒng)的應(yīng)力分析有重要的指導(dǎo)作用。 同時本文首次提出了多層薄膜在基板上鍍制順序與薄膜系統(tǒng)牢固性之間的關(guān)系。研究發(fā)現(xiàn):在設(shè)計薄膜系統(tǒng)時,一般應(yīng)使張應(yīng)力和壓應(yīng)力交替出現(xiàn),這樣可以使薄膜中
4、的應(yīng)力相互抵消,并且薄膜鍍制的順序非常重要,產(chǎn)生張應(yīng)力的薄膜靠近基板,這樣可以增強(qiáng)薄膜系統(tǒng)的牢固性。 由于熱應(yīng)力在薄膜系統(tǒng)穩(wěn)定性中的重要作用,研究薄膜中的熱應(yīng)力有重要的意義。但是由于薄膜和塊狀材料的微結(jié)構(gòu)不同,使得同種材料的薄膜和塊狀材料的熱膨脹系數(shù)、彈性模量存在很大的差別,不能用塊狀材料的數(shù)據(jù)來分析薄膜的熱學(xué)性質(zhì),而且薄膜的熱學(xué)參數(shù)與制備工藝密切相關(guān)。通過測量不同溫度下薄膜的殘余應(yīng)力,可以得到薄膜的應(yīng)力.溫度曲線,并且進(jìn)一步可
5、以得到應(yīng)力-溫度曲線的斜率。本文研究了電子束蒸發(fā)的SiO2薄膜的熱學(xué)性質(zhì)和力學(xué)性質(zhì)。研究發(fā)現(xiàn):薄膜的熱膨脹系數(shù)隨著沉積溫度的增加而增加,但是總是小于塊狀材料的熱膨脹系數(shù);同時,實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)電子束蒸發(fā)所獲得的Si02薄膜隨著沉積溫度的增加,其彈性模量E/1-Y減小,并且都大于塊狀材料的彈性模量。對薄膜中實(shí)際應(yīng)力的組成進(jìn)行研究有益于指導(dǎo)薄膜的鍍制工藝。本文研究了薄膜沉積溫度對薄膜應(yīng)力成分的影響。實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn):對于電子束蒸發(fā)的SiO2薄膜隨著沉積溫度
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