半金屬鉍薄膜的生長及其性質(zhì)研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、本文利用熱蒸發(fā)方法在硅(111)表面上,通過調(diào)節(jié)加熱電流控制鉍薄膜的生長速度,改變蒸發(fā)時間和觀測石英晶振頻率,來制備各種厚度的半金屬鉍薄膜樣品。隨著沉積時間的加長,觀測到銀白的鉍薄膜。用原子力顯微鏡(AFM),掃描電子顯微鏡(SEM)方法對制備的樣品進行形貌的觀測,分析了不同沉積時間的半金屬鉍薄膜的表面形貌,顆粒尺寸和形狀特征。并應(yīng)用X射線衍射(XRD)分析薄膜的晶格結(jié)構(gòu)。
　　 AFM測量顯示,薄膜具有相對平滑的表面和致密的結(jié)

2、構(gòu),并且薄膜的表面沒有出現(xiàn)明顯的裂痕。薄膜表面有不同尺度的顆粒,并且在一定的尺度范圍之內(nèi),各種不同大小的顆粒均勻分布在表面上。粗糙度有隨沉積時間的增加而增大的趨勢,但隨時間的增加,由于團簇的合并又會導(dǎo)致粗糙度的降低,并且導(dǎo)致顆粒尺寸的增加。
　　 SEM測量表示,沉積初期,薄膜表面存在孔洞,隨著沉積時間的增加,粒子不斷沉積到基體表面,孔洞中的顆粒數(shù)不斷增多,隨著粒子團簇的不斷生長,導(dǎo)致薄膜上的孔洞數(shù)量逐漸減少,最終形成較為光滑連

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