多壁碳納米管的改性及NO吸附-脫附研究.pdf

1、本文采用堿活化法(KOH)、環(huán)糊精非共價法對多壁碳納米管進行改性，并制備了氮、硼摻雜的碳納米管。采用SEM、TG-MS、XRD、XPS、FT-IR、Raman等對所制備和改性的碳納米管進行了表征。結果表明堿活化后的碳納米管其比表面積較堿活化前的碳納米管明顯增大，SEM圖片顯示堿活化后的碳納米管變直變短；而經(jīng)環(huán)糊精改性的碳納米管表面被環(huán)糊精所包裹，。XRD和Raman研究表明，堿活化法和環(huán)糊精改性的碳納米管結構并沒有發(fā)生變化。而氮硼摻雜改

2、性的碳納米管Raman譜圖G峰峰位向波數(shù)大的方向偏移，表現(xiàn)出半導體的特性。 NO吸附-脫附研究結果發(fā)現(xiàn)：經(jīng)堿活化和環(huán)糊精改性的碳納米管，對NO吸附的能力明顯增強。因為堿活化后的碳納米管的比表面積增大，增強了碳納米管對NO的吸附能力；而環(huán)糊精特有的空腔和多羥基結構對NO具有選擇吸附性能。 用氮、硼摻雜改性的碳納米管，制備碳納米管修飾電極，進行NO在碳納米管修飾電極上的電氧化研究。研究發(fā)現(xiàn)氮、硼摻雜改性的碳納米管修飾電極NO