TeO-,2-晶體生長與特性研究.pdf

1、本論文的主要目的是通過改變提拉法生長TeO<,2>晶體過程中固液界面的形狀來進一步提高晶體質(zhì)量.因此,本論文中主要研究了TeO<,2>晶體生長過程中改變工藝參數(shù)對固液界面形狀的影響,分析了固液界面與位錯分布及散射現(xiàn)象之間的關(guān)系,探討了改變工藝參數(shù)來降低位錯密度、消除散射現(xiàn)象的工藝措施.主要的研究結(jié)果如下:1、采用有限元模擬方法研究了提拉法生長TeO<,2>晶體過程中,在一定溫度梯度和提拉速率條件下,晶體旋轉(zhuǎn)速率改變對固液界面形狀的影響.

2、在有限元模型中同時考慮了晶體和熔體中的溫度場及熔體中的速度場.2、研究了提拉法生長TeO<,2>晶體固液界面形狀與晶體生長習(xí)性的關(guān)系,分析了晶體生長習(xí)性對位錯分布的影響,探討了通過改變固液界面形狀來降低位錯密度的工藝措施.3、研究了TeO<,2>晶體中散射現(xiàn)象的形成原因,探索了散射現(xiàn)象與固液界面及工藝參數(shù)之間的聯(lián)系.結(jié)果表明,由氣泡、"熔體包藏"和雜質(zhì)顆粒構(gòu)成的散射顆粒是造成TeO<,2>晶體中的散射現(xiàn)象的主要原因,并以氣泡為主.氣泡的